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ICP刻蚀简析 * 1 刻蚀简介 2 ICP刻蚀原理 3 ICP刻蚀及检测 * 刻蚀： 通过物理和/或化学方法将下层材料中没有被上层掩蔽膜材料掩蔽的部分去掉，从而在下层材料上获得与掩蔽膜图形完全对应的图形。 光刻 1 * 湿法刻蚀与干法刻蚀 湿法刻蚀即利用特定的溶液与薄膜间所进行的化学反应来去除薄膜未被光刻胶掩膜覆盖的部分，而达到刻蚀的目的。 * Wet Etching Characteristics Advantages: Simple equipment High throughput High selectivity Disadvantages: Isotropic etching leads to undercutting Chemical costs are high Disposal cost are high * 干法刻蚀是利用射频电源使反应气体生成反应活性高的离子和电子，对硅片进行物理轰击及化学反应，以选择性的去除我们需要去除的区域。被刻蚀的物质变成挥发性的气体，经抽气系统抽离，最后按照设计图形要求刻蚀出我们需要实现的深度 * Dry Etching Characteristics Advantages: Anisotropic etch profile is possible Chemical consumption is small Disposal of reaction products less costly Suitable for automation, single wafer, cassette to cassette Disadvantages: Complex equipment, RF, gas metering, vacuum, instrumentation Selectivity can be poor Residues left on wafer * 刻蚀工艺的相关参数 刻蚀速率 习惯上把单位时间内去除材料的厚度定义为刻蚀速率 刻蚀速率由工艺和设备变量决定，如被刻蚀材料类型，刻蚀机的结构配置，使用的刻蚀气体和工艺参数设置 * 选择比 同一刻蚀条件下，被刻蚀材料的刻蚀速率与另一种材料 的刻蚀速率的比。 选择比差：1?1 选择比好：10 - 1000 均匀性 衡量刻蚀工艺在整个晶片上，或整个一批，或批与批 之间刻蚀能力的参数。 U(%) = ( Emax – Emin ) / ( Emax+ Emin) * 刻蚀剖面 被刻蚀图形的侧壁形状 各向异性：刻蚀只在垂直于晶片表面的方向进行 各项同性：在所有方向上以相同的刻蚀速率进行刻蚀 * ICP 刻蚀：Inductively Couple Plasma Etch 感应耦合等离子体刻蚀 电控柜 真空室 插板阀开关 射频电源 2 * 电感耦合等离子体（ICP）刻蚀原理 包括两套通过自动匹配网络控 制的13.56MHz射频电源 一套连接缠绕在腔室外的螺线 圈，使线圈产生感应耦合的电 场，在电场作用下，刻蚀气体 辉光放电产生高密度等离子体。 功率的大小直接影响等离子体 的电离率，从而影响等离子体 的密度。 第二套射频电源连接在腔室内 下方的电极上，样品放在此台 上进行刻蚀。 * * Etchants and etch products 3 * BOSCH ICP The Bosch process uses two chemistries, one to generate polymers and the other to etch silicon. The etch machine switches between the two every few seconds to ensure that the sidewalls are covered with polymer allowing fast, deep trench etching. 产生聚合物和硅刻蚀交替进行； 快速切换； * Deep dry etching 有意形成聚合物（侧壁钝化） ，目的是在侧壁上形成抗腐蚀膜，从而防治横向刻蚀，形成高的各项异性刻蚀。 * 刻蚀相关参数 ?1）、工作压力的选择：对于不同的要求，工作压力的选择很重要，压力取决于通气 量和泵的抽速，合理的压力设定值可以增加对反应速率的控制、增加反应气体 的有效利用率等。 ?2）、RF功率的选择：RF功率的选择可以决定刻蚀过程中物理轰击所占的比重，对