上海“相变存储器”研究与国际前沿基本同步.pdfVIP

上海 “相变存储器” 研究与国际前沿基本 “非易失性存储器”作为新一代国 多类型。从2002年起，中科院上海微系 国际化打下 良好的基础。 际公认存储技术，越来越受到世界各国 统所在现行存储技术之外，及时攻关下 来 自美国、法国、德国、西班牙、俄 的重视。记者从 11月7日在沪召开的 一 代新型相变存储器，并承接我国 “极 罗斯、日本、韩国等 10个国家和地区 第十一届 IEEE非易失性存储器国际研 大规模集成 电路制造装备及成套工 200多位专家学者和业 内人士参加了本 讨会上获悉，上海承担国家科技重大专 艺”、“973计划”等相关任务。目前，中 届会议。在为期三天的会议期间举行 项、国家纳米重大研究计划等项 目，牵 科院上海微系统所、中芯国际、微芯等 10场大会报告和交流报告，围绕非易失 头研发非挥发的新型相变存储器，已公 企业组建百余人产学研团队，成功研发 性存储器领域的最新发展进行学术交 开约300项海内外专利，填补了我国新 出不同于传统存储机制的 “相变存储 流和研讨 。 型相变存储器的空白，研发与国际前沿 器”。据项 目负责人宋志棠研究员介绍， 实现基本同步。 该联合研究团队在相变存储器芯片的 (消息来源：科技 日报) 存储器是消费型电子产品的必备 工程化研究方面已经取得突破性进展， 单元 ，技术密集且门槛高，市场主要被 研制出8Mb测试芯片，并实现全部存 三星、海力士等企业垄断。中国作为多 储功能，开发出自主 IP的双沟道隔离 种电子产品的世界最大生产国，每年消 二极管阵列，成功实现了工艺集成和相 耗存储器件 占全球三分之一，但此前一 关功能的演示，并建立了8英寸整片测 直未实现存储器大批量国产，主要依靠 试系统。 进 口。而 日韩两国则通过实施国家战 在此基础上，上海微系统所与中芯 略，分别于上世纪80年代和90年代 自 国际建立 了 l2英寸专用 PCRAM 平 主掌握存储器技术，也使全球存储器产 台。l2英寸40纳米相变存储器的产业 业重心从美国移至 日本，进而移至韩 化关键技术也取得了重要进展，完成了 国。 第一版芯片的设计，并进入关键的工艺 新型非易失性存储器具有高速、高 开发；初步完成了尺寸为6O一70纳米 密度、可微缩、低功耗 、抗辐射、断电后 的相变材料填充和抛光、刻蚀等单项工 仍然能够保持数据等诸多优点。新型非 艺开发。据悉，微系统所在相关材料、器 易失性存储器包括相变存储器、磁性存 件、工艺等环节布局专利达 300项左 储器、电阻式存储器、铁电存储器等诸 右，其中80多项已获授权，为产业化和 万方数据