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微波管内的表面击穿 dielectric surface breakdown in vacuum in the microwave tube
第30卷第3期 电子器件 VoI.30No.3
2007年6月 ChmseJ叫nlal0fEkctronDe、rices Jun.2007
DielectricSurfaceBreakdowninVacu啪intheMicI‘owaveTube。
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stateof onthedielectricsurfacebreakdowninVacuumis in—
Abstract:The generally
present investigation
The ofthe
troduced.The is onthe electronemission influence
emphasisput secondary theory.
is The to the
electron fieldand onthebreakdowndiscussed.
emission,magneticdesorption waysimproVe
breakdownis
voltagepresented.
words:surface eIectron
Key breakdown;vacuum;secondaryemission;desorption
EEAoC:1320
微波管内的表面击穿*
徐.翱,王文祥,岳玲娜,赵国庆,宫玉彬
(电子科技大学大功率微波电真空器件技术重点实验室,成都610054)
摘 要:全面介绍了真空条件下表面击穿的研究状况,重点讨论了二次电子发射雪崩理论,论述了二次电子发射、陶瓷表面处
理、磁场、解吸附等因素对表面击穿的影响,并讨论了增加表面击穿电压的各种办法.为研究微波管的人员提供了理论参考.
关键词:表面击穿;真空;二次电子发射;解吸附
中图分类号:TNl2 文献标识码:A
对于真空击穿而言,在绝缘体表面上发生击穿所 现在主要有两个理论对发展和最终形成阶段的解释
需的电压比相同尺寸的真空间隙击穿或绝缘体的体 得到了较多支持:二次电子发射雪崩理论和电子诱
击穿所需的电压要小得多.所以,在微波管中,用于支 发极化松弛理论[1].①二次电子发射雪崩理论是现
撑的绝缘体(很多情况下是陶瓷)的表面就很容易发 在得到最多支持的一种理论,它的主要过程是:由于
生击穿,从而使微波管不能正常工作,甚至损坏微波 场致发射作用和热发射作用而产生的电子由三态点
管.为了避免这种情况的发生,很多的研究人员对表 发出,其中的一部分电子轰击绝缘体,在一定的条件
面击穿(包括影响绝缘的主要原因:电极和绝缘体表 下产生了二次电子且二次电子发射率大于1,与此
面的电场强度和表面状态)进行了广泛的研究. 同时,绝缘体表面会出现正电荷,发射出的二次电子
受到表面正电荷的吸引又返回并轰击绝缘体表面,
1表面击穿的理论
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