第6章 半导体存储器补充1.pptVIP

lijianyi@ zhlljy@ 半导体存储器补充 Intel 2164A的工作方式与时序 现代DRAM介绍 存储器子系统的设计 Intel2716的读时序 现代闪存技术 ④ 刷新操作 Intel 2164A内部有4×128个读出放大器，在进行刷新操作时，芯片只接收从地址总线上发来的行地址（其中RA7不起作用），由RA0~RA6共七根行地址线在四个存储矩阵中各选中一行，共4×128个单元，分别将其中所保存的信息输出到4×128个读出放大器中，经放大后，再写回到原单元，即可实现512个单元的刷新操作。这样，经过128个刷新周期就可完成整个存储体的刷新。 例6.1 用1K×4的2114芯片构成lK×8的存储器系统。 分析： 由于每个芯片的容量为1K，故满足存储器系统的容量要求。但由于每个芯片只能提供4位数据，故需用2片这样的芯片，它们分别提供4位数据至系统的数据总线，以满足存储器系统的字长要求。 设计要点： 将每个芯片的10位地址线按引脚名称一一并联，按次序逐根接至系统地址总线的低10位。 数据线则按芯片编号连接，1号芯片的4位数据线依次接至系统数据总线的D0-D3，2号芯片的4位数据线依次接至系统数据总线的D4-D7。 两个芯片的 端并在一起后接至系统控制总线的存储器写信号（如CPU为8086/8088，也可由 和 ／M或IO/