第三章 薄膜与涂层制备技术 gai.pptVIP

第三章 薄膜与涂层制备技术 李 国 栋 2011年3月 CVD在材料制备中的应用与相关理论 一、化学气相沉积的简短历史回顾 二、化学气相沉淀的技术原理 三、化学气相沉淀的技术装置 四、CVD技术的一些理论模型 一、化学气相沉积的简短历史回顾 1.CVD(Chemical Vapor Deposition) 定义 化学气相沉积是利用气态或蒸气态的物质在气相或气固界面上反应生成固态沉积物的技术。  2.历史的简短回顾 古人类取暖或烧烤时熏在岩洞壁或岩石上的黑色碳层→中国古代炼丹术中的“升炼”（最早的记载）→20世纪50年代现代CVD技术用于刀具涂层（碳化钨为基材经CVD氧化铝、碳化钛、氮化钛） →20世纪60、70年代半导体和集成电路技术、超纯多晶硅。 →1990年以来我国在激活低压CVD金刚石生长热力学方面,根据非平衡热力学原理，开拓了非平衡定态相图及其计算的新领域，第一次真正从理论和实验对比上定量化地证实反自发方向的反应可以通过热力学反应耙合依靠另一个自发反应提供的能量控动来完成 二、化学气相沉积的技术原理 CVD技术特点: 1、沉积反应如在气固界面上发生则沉积物将按照原有基底（又称衬底）的形状包复一层薄膜。 实例：涂层刀具 2、采用CVD技术也可以得到单一无机合成物质，并 用以作为原材料