DMN66D0LDW-7;中文规格书,Datasheet资料.pdf

下载文档

25
0
约2.71万字
约 6页
2017-08-22 发布于河南
举报
版权申诉
保障服务

DMN66D0LDW-7;中文规格书,Datasheet资料.pdf

1、本文档共6页，可阅读全部内容。
2、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。
3、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。

DMN66D0LDW-7;中文规格书,Datasheet资料

DMN66D0LDW DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features Mechanical Data • Dual N-Channel MOSFET • Case: SOT363 • Low On-Resistance • Case Material: Molded Plastic. UL Flammability Classification • Low Gate Threshold Voltage Rating 94V-0 • Low Input Capacitance • Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020 • Fast Switching Speed • Terminals: Matte Tin Finish annealed over Alloy 42 leadframe T • Small Surface Mount Package (Lead Free Plating). Solderable per MIL-STD-202, Method 208 C • ESD Protected Gate, 1KV (HBM) • Terminal Connections: See Diagram U • Lead Free/RoHS Compliant (Note 1) • Weight: 0.006 grams (approximate) D • Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability O R P SOT363 D G S W 2 1 1 E N S2 G2 D1 ESD PROTECTED TO 1kV Top View Top View