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si取代对binbo4烧结及微波介电性能的影响 effects of the substitution of si on the sintering and microwave dielectric properties of binbo4 ceramics
第26卷第6期 电 子 元 件 与 材 料 Vbl.26No.6
2007年6月 ELECTRoNICCoMPoNENTSANDMATERIALS Jun.2007
Si取代对BiNb04烧结及微波介电性能的影响
林易州,杨同青,丁士华,姚熹,张良莹
(同济大学功能材料研究所,上海 200092)
摘要:采用传统固相反应法制备样品,研究了si02掺杂对BiNb04烧结特性、微观结构、介电性能的影响。利用
HP8753E网络分析仪测试样品微波性能。实验结果表明,si取代后样品逐渐出现了三斜相,随着si取代量的增加,
BiNb0。陶瓷的烧结温度升高,晶粒变大、形状变不规则、样品Q值减小、谐振频率温度系数由正值向负值转变。
关键词:无机非金属材料;BiNb0。;微波介质陶瓷;掺杂;介电性能
中图分类号:TM24 文献标识码:A 文章编号:100l一2028(2007)06,0042—03
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