缓冲层对pms-pnn-pzt压电厚膜材料性能的影响 effects of buffer on properties of pms-pnn-pzt piezoelectric thick film material.pdfVIP

第26卷第7期 电 子 元 件 与 材 料 Vbl．26No．7 2007年7月 ELECTRONICCOMPONENTSANDMATERIALS Jul．2007 沈建兴，李传山，董金美，张雷，武红霞 (山东轻工业学院材料科学与工程学院，山东济南 250353) 摘要：采用丝网印刷的方法制备了PMs．PNN．PZT四元系压电厚膜陶瓷材料。研究了基板、下电极和 的影响。用xRD和SEM分析材料的相组成、厚膜定位及压电层的显微结构。结果表明，缓冲层有效地阻止了三者之 间的相互扩散，样品的d33、￡，等都有所提高，所制得的压电厚膜如3为285 210，Q。为1 pc／N，sT为l 330，k为O。54。 关键词：无机非金属材料；PMs．PNN．PzT；压电厚膜；缓冲层；扩散 中图分类号：TM282文献标识码：A 文章编号：1001—2028