湿n2退火hftio和hfo2栅介质 ge mos电特性研究 study on electrical characteristics of ge mos with hftio hfo2 gate dielectric annealed in wet n2.pdfVIP

第27卷第2期 固体电子学研究与进展 V01．27．No．2 2007年5月 OF May，2007 RESEARCHPROGRESSSSE Ge MoS电特性研究+ 邹 晓1’2 徐静平2 朱秋玲2 黎沛涛3 李春霞3 (1江汉大学机电与建筑工程学院，武汉，430056)(2华中科技大学电子科学与技术系，武汉，430074) (3香港大学电机与电子工程系，香港) 2006一04—28收稿，2006一07—21收改稿 摘要：采用反应磁控溅射方法在Ge衬底上分别制备了HfTiO和Hf0：高x栅介质薄膜，并研究了湿N。和干 N。退火对介质性能的影响。由于GeO，在水气氛中的水解特性，湿N：退火能分解淀积过程中生长的锗氧化物，降