第2章 晶体管和其基本放大电路09044.ppt

2.1 晶体管2.2 放大;2.1　晶体管2.1.1 晶;(Semiconductor ;二﹑分类：按材料分： ;2.1.2 晶体管的三种连接方;2.1.3 晶体管的工作状态 ;发射区正偏向基区注入多子 ;I CNIEI BNI CBO;（2）晶体管的电流分配关系IB;穿透电流骑傀慷掘僧妓咀院豹摇臻;② 共基直流电流放大系数 ;(3) 晶体管的放大作用 ;电流放大作用的实质是通过改变基;2. 饱和状态 (发射结正向偏;3. 截止状态 （发射结反向偏;【例2-1】 测得放大电路中工;分析 ① 工作于放大;【例2-2】 测得工作在放大状;由于=0.1mA，=5.0mA;2.1.4 晶体管的伏安特性;一、输入特性输入回路输出回路与;①对应不同的UCE，输入特性曲;左右，锗管约为0.3V左右。 ;iC / mAuCE /V50;iC / mAuCE /V50;iC / mAuCE /V50;4. 击穿区：条件：发射结正偏;2.1.6 晶体三极管的主要参;iC / mAuCE /V5;三、极限参数1. ICM —;U(BR)CBO — 发射极开;晶体管的安全工作区 4. 频率;2.1.7 温度对晶体管参数;2. 温度升高，输出特性曲线向;2.2.1.放大的基本概念 ;二、 方框图直流电源信号源RS;三、放大电路的四端网络表示１1;2.2.2 放大电路的主要性;二、输入电阻１1?+us–RS;当信号源有内阻时：＝Ui.UO;三、输出电阻　　放大电路的输出;uout — 负载开路时的输;Au( f ) — 幅频特性?;2. 3共发射极电路的组成及工;输出不失真发射结加正向电压集电;1. 确保晶体管工作于放大区 ;1.静态： ui=0. ;符号说明C2Rsus+-+C1;Rb+VCCRCC1C2TRL;2.3.3、直流通路和交流通路;开路将交流电压源短路 将;RB+VCCRC直流通路量涸吱;Rb+VCCRCC1C2RL(;对交流信号(输入信号ui)短路;交流通路RBRCRLuiuo－;共射放大电路 直流通路 交流通;放大电路没有输入信号时的工作状;Rb+VCCRCC1C2TRL;RB+VCCRC静态工作点（ ;（1）估算IB（ UBE ?0;（2）估算UCE、ICIC= ;例：用估算法计算静态工作点。已;RＢ+VCCRCTICUBEU;1.在输入回路中确定 (IB,;uCE = VCC ? iC ;2.4.2 用图解法确定动态;2.根据ib在输出特性上画出i;各点波形uo比ui幅度放大且相;2.4.3 电路参数对静态工;2.4.4 非线性失真1. ;2.“Q”过高引起饱和失真IC;当 ui 较小时，为减少功耗和;2. 5　微变等效电路 分析;1. 低频H参数电路模型 ;根据晶体管端口电压、电流关系可;三﹑H参数小信号模型根据可得小;根据输入电阻的定义 实验表明：;1. 共发射极放大电路的静态分;画微变等效电路rbeRbRCR;1.电压放大倍数的计算负载电阻;电路的输入电阻越大，从信号源取;所以：用加压求流法求输出电阻：;4.源电压放大倍数由的定义 总;晶体管放大电路动态分析步骤① ;求：1. 静态工作点。例2.电;3. 若输出电压的波形出现如 ;2. 思路：微变等效电路AU、;邯坠鞋蓖成忻见踪更洽杏证蒙咸丹;洞助过渔英胶夺戳谗吾烁戳宁谊虽;判断非线性失真(1)是截止还是;例 ? = 100，uS =;[解]令 ui = 0，求静态;uce② 交流通路+uo?+ ;④ 分析各极交流量⑤ 分析各极;图解法、微变等效电路法比较 ;(2) 微变等效电路法。 ;2.6 分压式稳定静态工作点;2.6.2 分压式射极偏置稳;+ U;若电路调整适当，可以使ICQ基;静态分析 ;说明Q是否合适+VCCRCRE;动态分析求AU、Ri、RO一 ;2.画出放大电路的微变等效电路;二 计算动态性能指标1.计算;“-”表示Uo和Ui反相。 A;2.计算输入电阻Ri↑，同时说;uo在RE两端的电压可以忽略不;2.6.3 带旁路电容的射极;例 ? = 100，RS=;+VCCRCC1C2RLRE+;小 结分析了固定偏置放大电;2. 7共集电极放大电路2.7;IBQ = (VCC – UB;交流通路RsRB+?+uo?R;1.电压放大倍数：? 12.输;3.输出电阻：usRB+uo?;例 ? =120，RB = 3;2)求 Au，Ri，RoRbe;乃蔽汾隅桅罩吃齿岸跑重???核尾敲