第二章光电检测器件工作原理和特性.ppt

第二章 光电检测器件工作原理及特性;光辐射探测器分类;;§2-1 光子探测器;光电效应的种类： 1 外光电效应 光电发射效应：当光照射到材料上使材料向真空中发射电子。 2 内光电效应????? 光电导效应：当光照射到材料上使材料电导率发生变化。 光伏效应：当光照射到材料上使材料产生光电势。;; 光电子发射效应是真空光电器件光电阴极的物理基础。(外光电效应) 光电子发射效应演示图 ;;;;1979年和平奖得主特里萨修女是天主教仁爱传教会创建人，毕生致力于慈善事业。她于1910年出生在阿尔巴尼亚，18岁时因受印度大诗人泰戈尔的影响，来到印度投身慈善事业。1949年，特里萨修女在加尔各答创立了慈善机构——“慈善会”，并以此为基地，在印度开展救助孤儿、穷人、老人和麻风病患者的慈善工作。特里萨修女在印度和其他国家创办了50余所学校、医院、济贫所、青年中心和孤儿院。 人为什么而活着？ 人生的意义是什么？ 哲学书解决这个问题，如尼采，卢梭，台大傅佩荣教授 ;;2009年诺贝尔物理学奖授予 英国华裔科学家高锟 发明的光纤(有关光在纤维中的传输以用于光学通信方面 )500万瑞典克朗（71.8万美元） 美国科学家威拉德·博伊尔和乔治·史密斯。 发明成像半导体电路———电荷耦合器件(CCD)图像传感器 ;;;;;;;;外光电效应的两个基本定律 1．光电发射第二定律——爱因斯坦定律 ??? 光电子的最大动能与入射光的频率成正比，而与入射光强度无关： Emax=(1/2)mυ2max=hν- hν0 =hν- W0 Emax：光电子的最大初动能。 h：普朗克常数。 ν0：产生光电发射的极限频率，频率阈值。 W0 ：金属电子的逸出功（从材料表面逸出时所需的最低能量），单位eV，与材料有关的常数，也称功函数。;2．光电发射第一定律——斯托列托夫定律： ?? 当照射到光阴极上的入射光频率或频谱成分不变时，饱和光电流（即单位时间内发射的光电子数目）与入射光强度成正比： ???? ??? Ik=SkF0 其中：Ik：光电流 Sk：光强 F0：该阴极对入射光线的灵敏度 ;入射光子的能量至少要等于逸出功W时，才能发生光电发射。 波长阈值： λ0=C/ν0≤hc/W=1.24(μm·eV)/W ????????????? =1240/W(nm) ??? 当入射光波长大于λ0时，不论光强如何，以及照射时间多长，都不会有光电子产生。要用红外光（λ0.76μm）发射电子，必须寻求低于1.8eV的低能阈值材料。;光电子发射的基本过程 大致可分三个过程： 1)光射入物体后，物体中的电子吸收光子能量，从基态跃迁到能量高于真空能级的激发态。 ?2)受激电子从受激地点出发，在向表面运动过程中免不了要同其它电子或晶格发生碰撞，而失去一部分能量。 ?3)达到表面的电子，如果仍有足够的能量足以克服表面势垒对电子的束缚（即逸出功）时，即可从表面逸出。;光电发射过程图 ;好的光电发射材料（做光电阴极的）应该是：? （1）对光的吸收系数大，以便体内有较多的电子受到激发； （2）受激电子最好是发生在表面附近，这样向表面运动过程中损失的能量少； （3）材料的逸出功要小，使到达真空界面的电子能够比较容易地逸出； （4）另外，作为光电阴极，其材料还要有一定的电导率，以便能够通过外电源来补充因光电发射所失去的电子。;;;;;§2-1 光电检测器件的物理基础;;;;;光电导器件;;;;;;;2.1.3 光生伏特效应;;;;;;;2.1.4 光热效应;热释电效应 Pyroelectric Effect;;;;;;;;;;;§2-2 光电检测器件的特性参数;;§2-2光电器件的性能参数;;;光电器件的性能参数; 光电器件的性能参数;光电器件的性能参数;光电器件的性能参数;与归一化的噪声等效功率相应的归一化探测度被称为比探测度,用D*表示。 ;7.量子效率;光电器件的性能参数;光电器件的性能参数;;;;;;;;;光辐射探测器的噪声;;;噪声分析方法;;;;;;;;探测器的噪声;;2. 产生—复合噪声 光辐射功率随机起伏导致半导体中光生载流子的随机起伏而形成的散弹噪声。半导体载流子产生的噪声。统称这类电流起伏变化的噪声为产生—复合噪声。 产生—复合噪声与平均电流有关，当 ?1时，简化为后面一项。 τ0载流子的寿命，τd 为载流子的渡越时间。;;;;如：光敏电阻在偏置电压作用下产生信号光电流，由于光敏层内部结构不均匀产生微火花电爆放现象。这种微火