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制造芯片硅晶体原理与过程方法

; ;;; 硅的价电子分布是3S23P2。一个3S轨道上的电子激发到3P轨道上形成新的SP3杂化轨道。硅原子的杂化轨道决定了硅晶体必为金刚石结构。四个最邻近的原子构成四面体,硅晶体中所有的价电子束缚在共价键上没有自由移动的电子,不能导电。只有当电子激发脱离共价键,成了自由移动的电子才能导电激发脱离共共价键的电子越多导电性越强,这也就是半导体性。 ; 2 什么是芯片 芯片,准确地说就是硅片,也 叫集成电路。是微电子技术的主要 产品。所谓微电子是相对强电弱电 等概念而言的。指他处理的电子信 号极其微小。它是现代信息技术的 基础。计算机芯片是一种用硅材料 制成的薄片,大小仅有手指甲的一 半。一个芯片是有几百个微电路连在一起的,体积很小,; 在芯片上布满了产生脉冲 电流的微电路。计算机内的 电路很小,使用的电流也 很小所以也称芯片为微电子 器件。 微型计算机中的主要芯片有微处理芯片、接口芯片、存储器芯片等。 制造芯片的硅晶体的原理和过程方法 1 原理 硅片的平整度、表面颗粒度、委屈电阻率均匀性控制; 等方面对芯片的功能和成品 率都有很大影响。 如果硅片的平整度不够, 由于光的衍射作用,线条的 精确度无法保证而且硅 片中央与边沿的光刻精度一 致性会变差。 硅片表面硅片表面吸附的微小杂质颗粒,我们无法用肉 眼发现,必须借助电子显微镜在暗场下观察。暗场下的亮点象天上的星星一样,它是芯片的天敌,可以导致器件失效,严重影响器件的可靠性。微小杂质颗粒的来源主要是化学试剂、气体及环境。 ; 硅晶体的提纯 正是由于低纯度的硅对芯片的功能和成品率有如此重大的影响,所以工业生产就要求高纯硅,以满足器件质量的需求。在半导体材料的提纯工艺流程中,一般说来,化学提纯在先, 物理提纯在后。原因是:一方面化学提纯可以从低纯度的原料开始,而物理提纯必须使用具有较高纯度的原料;另一方面是化学提纯难免引入化学试剂的污染,而物理提纯则没有这些污染。 工业硅,一般指95%~ 99%纯度的硅 ,又称粗硅,或称结晶硅。这种硅是石英砂在电炉中用碳还原方法冶炼而成的,其反应式为: ; 工业硅中所含杂质主要有Fe、Al、C、B、P、Cu 等, 其中Fe 含量最多。工业硅的纯化最常用的方法是酸浸(酸洗)。 ;; 在粗四氯化硅中含有杂质如硼、磷、钛、铁、铜等的氯物, 提纯的目的就是最大限度的出去这些杂质。常用精馏提纯。 ; 专门技术的计算机控制的机器制 造的。在制造过程中需要用高倍 显微镜对芯片进行观察。 制造芯 片时,将元件和电路连线置于硅 片的表面和内部,形成9-10 个不 同的层次。在真空中生成圆柱形 的纯硅晶体,然后将其切成0.5 毫米厚的圆片,将圆片的表面磨 得极其光滑。利用存储在电子计 算机存储器里的电路设计程序,为芯片的各层制造一组“光掩模”,这种掩模是正方形的玻璃。用照相处理的办法或电子流平板印刷技术将每一层的电路图形印在每一块玻璃掩模式上,因而玻璃仅有部分透光。当上述圆片被彻底清洗干净后,再放入灼热的氧化炉内,使其表面生成二氧化硅薄绝缘层。然后再涂上一层软的易感光的塑料(称为光刻胶或光致 ;抗蚀剂)。将掩模放在圆片的上方,使紫外线照射在圆片上,使没有掩模保护的光刻胶变硬。用酸腐蚀掉没有曝光部分的光刻胶及其下面的二氧化硅薄层,裸露的硅区部分再做进一步处理。 用离子植入法将掺杂物掺入硅中构成元件的n 型和p型部分,在硅片上形成元件。 ;;硅半导体晶体管。大约1953 年晶体管才开始用于计算机。 1958 年在美国得克萨斯仪器 公司工作的美国人杰克吉尔 比提出将两个晶体管放在一 片芯片上的设想,从而发明 了第一个集成电路。随着技 术进步,集成电路规模越来 越大,功能越来越强。 现在的计算机要靠硅芯片。 硅芯片所记录的信息是被描述上去的。硅芯片愈小,精确地记录信息就愈难。但是,晶体芯片能够以容纳电荷的形式容纳信息,并且能够更加有效地编排信息。   基克斯说,利用这种分子技术所生产的芯片体积小得 ;像尘粒一样。他还说:“你一走进房间,它就可以把电视调到你最喜欢的频道上。也就是说,免得你来来回回操纵鼠标而患腕关节不适之综合症状,把你的手指变成了鼠标。” 在半导体制造业发展的几十年中,硅原料本身的自然属性一直没有对芯片运行速度的等方面对行骗的功能和成品率都有很大影响。 提高产生任何阻碍作用。但是,随着芯片制造技术的不断改进,

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