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适合视频应用的CCD延迟线 M．Pelgrom等 摘 要 一 种表 面沟道 屯荷耦舍器件m作 电视延迟线，其芯片采用 4条模拟多路 线并具 有适配于各类视频设备所 产生 的时钟频率的芯片 电路 ，该 4．8mm 芯片只需 由5V电 源提 供40mW sJ／耗 。 而促使选中埋沟器件方式，每次 电荷传送可 获得值2×10一。这类器件的频 率 传输特性 电荷耦台器件 (CCD)主要用于影象、 受其输 出保持效应的影 响。埋 沟 CCD的三 数字延迟 以及模拟采样数据系统等领域。在 维特性给器件的小型化带来许多问题，并且 近期的应用领域中，模拟延迟线多数是作视 其输 出要求 9-~12V 的 电源 电压 ，因此，为 频应用。l_一些供货商按各种时钟频率 出售一 降低功耗多数器件均采用双 电源 。 系列PAL~NTSC制式 的延迟线 ，这些产 品 本文介绍一种采视频亮度延迟线 ，它采 主要 以 3~4,urr,埋 沟工艺为基础，有时结舍 用面沟道CCD方案基于 2．5btm nMOS工艺 ， CM0S技术 。 该 电路要需 5V电源 。在下节叙 述的时钟电 由于BCCD小信号电荷传输无用效率低 路中所包含的特性允许将它们用到某些视频 ’ M ．Pelgrom… A CCD delay line for videoapplication ，IEEE Tra~*．C。 !m． Elec~ lro．， ~oi．CE一33，No．4，603~6D8，李熙仲浮，肖辉杨校 这个缺陷 可 以断定 ，高温老化时，负的表 淀积正负离子在器件表面上。用几个实例讨 面离子从低 电压键台点溢出，朝着高电压连 论 了它在评介 电介质隔离 器 件 设 计时的应 线漂移。当这些离子漂移到氧化层较薄或没 用。结果证明，场板尺寸、槽的深度和 电势 有氧化层的局部区域时，硅 中高电压区域的 梯度范围在器件对表面电荷的敏感性方面具 电场增加到击穿极限 这种方法 比表面离子 有重要的影响。还讨论了作为失效模式分析 的正常途径要快得多。 手段的用途，娟这种方法还发现，扩散MOS 晶体管场板的局部腐蚀会使器件对表面离子 结 束 语 敏感，钝化层和氧化层缺陷也能产生同样的 影响。最后，给出了表面 电荷影响HVIC击 本文讨论了一种评价表面离子对 HVIC 穿 电压 的模型。 的影响的简单方法，包括用电晕放电的手段 参 考 文 献 (略) 装戡-p (比如用于VrR角【VLIJ的偏移嫂正 延迟，输入信号通过CCD输入 电路分离后出 系统)，见 圈 1。 输出采样 ／保持电路复台。从主时钟 得到的 4个脉冲周期地供 CCD线 完成输入采样、 电荷迁移、输 出复原以及控 制 栗样 保持电 路。为了获得最