光电技术 第4-2节 光电导探测器.pptVIP

§2光电导探测器 利用半导体光电导效应制成的探测器称光电子探测器，简称PC（Photo conductor）探测器，通常又称为光敏电阻。它与一般的电阻器不同，工作时要加以一定的偏流或偏压。根据不同类型的光电导效应和材料不同，分为本征型、杂质型、薄膜型、扫积型等类型。 光敏电阻与其它半导体光电器件相比有以下优点： （1）光谱响应范围相当宽，根据光电导材料不同，光谱响应范围可以从紫外、可见光、近红外扩展到远红外，尤其是对可见光和红外辐射有较高的响应度。 （2）工作电流大，可达毫安量级。 （3）所测光强范围宽，动态范围可达104以上（0.1～1000lux,最强光强与最弱光强的比值）。 （4）灵敏度高，光电子增益大于1。 （5）偏置电压低，无极性之分，使用方便。 不足之处： 在强光照射下光电转换线性较差，光电驰豫过程较长，频率响应较低，这使它的应用受到一些限制。 一、光敏电阻的工作原理 在均质的光电导体两端加以电压（偏置电压），当光照射到光电导体上时，由光照产生载流子，在外电场作用下沿一定方向运动，在电路中产生电流，达到光电转换的目的。原则上本征型与杂质型半导体均能发生光电效应，但本征型半导体只有入射光子能量大于或等于禁带宽度Eg时才能激发电子一空穴对，所以其红限波长较短。而杂质型如n型半导体只要光子能量大于杂质电离能（把电子从杂质能级打到导带），就可以形成光生载流子对，在外加电场下形成光电流。所以杂质型半导体响应波长较宽。从原理上讲，P型与n型半导体均可制成光敏电阻，但由于电子的迁移率比空穴的大，且n型材料做的光敏电阻性能较稳定，特性较好，故现在光敏电阻大都使用n型材料制作。为了减少杂质能级上电子的热激发，常需要在低温下工作。 由第三章，我们可知道，本征光电导材料的长波限为： 杂质型光敏电阻的长波限为 式中Eg、 的单位为电子伏（ev）。 由第三章在热平衡时半导体的电导率公式，无光照时电导率 ，有光照时 ，则有 暗电流: 在光辐射下，如单位时间产生N个载流子对，其寿命分别为 和 ，则由于光辐射而增加的电子与空穴浓度为： 所以，光电导 ，对应的光电流为： 可见，光电流 与 （与入射光子数及量子效率有关）、 成正比，而与L2成反比，所以在设计光敏电阻时设法使L减小，常采用梳状电极。这样既保证了有较大的工作区域，又减小了L。 二、光敏电阻的主要特性参数 1、光电导增益M： 光电导增益定义为由光生载流子产生的外部光电流Ip与内部电流之间的比值，由前式得： 式中 分别称为电子增益系数与空穴增益系数。 因为速度为 的光电子在两电极间的渡越时间为 所以 ，同样 ，而 等于载流子平均寿命 与有效渡越时间tdr之比，表示一对光生载流子对控制器外电路的电流的有效贡献。 当M=1时，表示光生载流子平均寿命正好等于它在电极间的有效渡越时间tdr，每产生一个光电子正好给外回路提供一个电子的电荷量。M＜1表示＜tdr，载流子未漂移到电极就已复合，每个光电子对外电路电流的贡献小于一个电子电荷量e。M ＞1的情况，似乎光电子已渡越完毕，但其平均寿命还未中止。这种现象可以简单解释之：光生电子向电极正极运动，光生空穴向电极负极运动，电子在渡越中几乎不受什么阻隔作用，而空穴在移动过程中很容易被半导体内晶体缺陷和杂质所形成的陷阱所俘获。所以，当光电子在阳极消失时，空穴仍留在半导体内，它会将负极的电子感应吸引到半导体中去，感应进来的电子又在电场作用下运动到正极。如此继续下去，直到正电中心（俘获的空穴）消失，显然这种效应相当于一个光子激发，可以有多个电子相继通过电极，因而在外回路中总的电流的贡献将多于一个电子，相当于光电流被放大。应当指出，由于载流子平均寿命是一个统计平均值，故光电导器件的光电增益M也是一个统计平均量。 由上表明，光电导探测器是一个具有内增益的器件，内增益M与器材的材料、结构尺寸及外加偏压（偏流）有关。对于光生载流子寿命长、迁移率大的光电导材料，极间距离小的光电导器件，其