常用电子元件特点及工厂应用01.pptVIP

目录 LCD结构及使用材料 P N P e b c IE IB’ IPC ICBO IB IC 工作原理 载流子的传输规律 1. 发射区向基区扩散空穴，形成发射极电流 2. 空穴在基区扩散和复合，形成了基区复合电流IB’ 3. 集电极收集从发射区扩散到基区的空穴，形成了电流IPC 同时由于集电结反偏，少子在电场的作用下形成了漂移电流ICBO，影响IB和IC 可得电流之间的分配关系 IB = IB’-ICBO IC = IPC+ICBO IE = IB+IC 工作原理 共基极直流放大系数 从发射区注入的载流子到达集电极部分所占的百分比 由前面得到的电流之间的分配关系 IC = IPC+ICBO 可得： 的数值一般在0.9 ~0.99之间。 说明从发射区注入的载流子绝大部分到达集电区，只有一小部分在基区复合 工作原理 EB EC Rb Rc IB IC IE ECEB ? 共发射极连接的工作原理 IB = IB’-ICBO IC = IPC+ICBO IE = IB+IC 输入电流 输出电流 当IB=0时 穿透电流 由IBICBO 工作原理 ? 共发射极连接的工作原理 EB EC Rb Rc ib ic ie + - ?Ui ?Uo 共基交流电流放大系数? 共射交流电流放大系数? ?=?IC/?IB?UCE=C α=?IC/?IE? UCB=C 共射电路的电压放大倍数 工作原理 ? 三极管的三种组态 双极型三极管有三个电极，其中两个可以作为输入, 两个可以作为输出，这样必然有一个电极是公共电极。三种接法也称三种组态： 共集电极接法，集电极作为公共电极，用CC表示; 共基极接法，基极作为公共电极，用CB表示。 共发射极接法，发射极作为公共电极，用CE表示； 三极管的伏安特性曲线 三极管的伏安特性 指管子各电极的电压与电流的关系曲线 B是输入电极，C是输出电极，E是公共电极。 Ib是输入电流，Ube是输入电压，加在B、E两电极之间。 IC是输出电流，Uce是输出电压，从C、E两电极取出。 输入特性曲线: Ib=f(Ube)? Uce=C 输出特性曲线: IC=f(Uce)? Ib=C 特性曲线 ? 三极管输入特性曲线 1. Uce=0V时，发射极与集电极短路，发射结与集电结均正偏，实际上是两个二极管并联的正向特性曲线。 2. 当Uce ≥1V时， Ucb= Uce - Ube 0，集电结已进入反偏状态，开始收集电子，且基区复合减少， IC / IB 增大，特性曲线将向右稍微移动一些。但Uce再增加时，曲线右移很不明显。通常只画一条。 输入特性曲线分三个区 ② 非线性区 ① 死区 ③ 线性区 ① ② ③ 正常工作区，发射极正偏 NPN Si: Ube= 0.6~0.7V PNP Ge: Ube= -0.2~-0.3V 特性曲线 ? 三极管输出特性曲线 IC=f(Uce)? Ib=C 2-2 饱和区: (1) IC受Uce显著控制的区域，该区域内Uce的数值较小，一般Uce＜0.7V(硅管)。 发射结正偏，集电结正偏 (2) Uces=0.3V左右 截止区：——Ib=0的曲线的下方的区域 Ib=0 Ic=Iceo NPN：Ube?0.5V,管子就处于截止态 通常该区：发射结反偏，集电结反偏。 输出特性曲线可以分为三个区域: 特性曲线 ? 三极管输出特性曲线 放大区—IC平行于Uce轴的区域，曲线基本平行等距。 (1) 发射结正偏，集电结反偏，电压Ube大于0.7V左右(硅管) 。 (2) Ic=?Ib,即Ic主要受Ib的控制。 (3) ?≈ 判断三极管工作状态的依据： 饱和区: 发射结正偏，集电结正偏 截止区： 发射结反偏，集电结反偏 或： Ube?0.5V（Si) Ube?0.2V（Ge) 三极管的特性参数 ? 电流放大系数 共基直流电流放大系数 共基交流电流放大系数? 共射交流电流放大系数? ? =?Ic/?Ib?Uce=C α=?Ic/?Ie? Ucb=C 共射直流电流放大系数 * * 第四章、常用电子元器件的生产工艺及防护 第五章、典型的电路分析 第六章、生产线常见的几种类型的不良情况及原因 第三章、常用电子元器件的常见故障及处理 第二章、常用电子元器件的基本特点及应用 第一章、常用电子元器件分类及识别 常用电子元器件分类及识别 常用电子元器件的分类 ? 电阻器类 电容器类 二极管类 三极管类 晶闸管类 显示类 发声类 电感线圈类 保险管类 常用电子元器件分类及识别 电阻器的分类及识别 ?电阻器的主要分类 ?碳膜电阻器(碳阻) ?金属膜电阻器(金阻) ?金属氧化膜电阻器 ?保险丝电阻 ?线绕电阻器(水泥电阻)