很好第八章常用串行总线分析及应用.pptVIP

第八章 常用串行总线介绍及 应用  8.1 1-wire总线 目前单片机应用系统比较常见的串行扩展接口和串行扩展总线有：1-Wair单总线、SPI串行总线、IIC总线。 8.1.1 DS18B20的简介 DS18B20的主要特征： ?? 全数字温度转换及输出。 ?? 先进的单总线数据通信。 ?? 最高12位分辨率，精度可达土0.5摄氏度。 ?? 12位分辨率时的最大工作周期为750毫秒。 ?? 可选择寄生工作方式。 ?? 检测温度范围为–55°C ~+125°C (–67°F ~+257°F) ?? 内置EEPROM，限温报警功能。 ?? 64位光刻ROM，内置产品序列号，方便多机挂接。 ?? 多样封装形式，适应不同硬件系统。 8.1.2 DS18B20的引脚及内部结构 1 .DS18B20的封装 DS18B20的封装采用TO-92和8-Pin SOIC封装，外形及管脚排列如图8-1。 DS18B20引脚定义： GND 为电源地。 DQ 为数字信号输入/输出端。 VDD 为外接供电电源输入端（在寄生电源接线方式时接地）。 NC 空引脚。 2 . DS18B20的构成 DS18B20内部结构图如图8-2所示。主要包括： 寄生电源、温度传感器、64位激光(lasered)ROM、存放中间数据的高速暂存器RAM、非易失性温度报警触发器TH和TL、配置寄存器等部分。 1）寄生电源 寄生电源由二极管VD1、VD2、寄生电容C和电源检测电路组成，电源检测电路用于判定供电方式，DS18B20有两种供电方式：3V～5.5V的电源供电方式和寄生电源供电方式。在寄生电源供电方式下，DS18B20从单线信号线上汲取能量：在信号线DQ处于高电平期间把能量储存在内部电容里，在信号线处于低电平期间消耗电容上的电能工作，直到高电平到来再给寄生电源（电容）充电。该寄生电源有两个优点：第一，检测远程温度时无需本地电源；第二，缺少正常电源时也能读ROM。 2）64位只读存储器ROM ROM中的64位序列号是出厂前被光刻好的，它是该DS18B20的地址序列码。光刻ROM的作用是使每一个DS18B20都各不相同，可以实现一根总线上挂接多个DS18B20。64位光刻ROM序列号的排列是：开始8位（28H）是产品类型标号，接着的48位是该DS18B20自身的序列号，最后8位是前面56位的循环冗余校验码（CRC=X8+X5+X4+1）。 3)内部存储器 　DS18B20温度传感器的内部存储器包括一个高速暂存RAM和一个非易失性的可电擦除的EEPROM，EEPROM用于存放高温度和低温度触发器TH、TL和配置寄存器的内容。高速暂存存储器由9个字节组成。 4）温度传感器 DS18B20中的温度传感器可以完成对温度的测量。DS18B20的温度测量范围是-55℃～+125℃,分辨率的默认值是12位。DS18B20温度采集转化后得到16位数据，存储在DS18B20的两个8位RAM中，高字节的高5位S代表符号位，如果温度值大于或等于零，符号位为0；温度值小于零，符号位为1。低字节的第四位是小数部分，中间7位是整数部分。 5)配置寄存器暂存器的第五字节是配置寄存器，可以通过相应的写命令进行配置其内容如下表： 低五位一直都是“1”，TM是测试模式位，用于设置DS18B20在工作模式还是在测试模式。在DS18B20出厂时该位被设置为0，用户不要去改动。R1和R0用来设置DS18B20的分辨率 。 8.1.3 单总线开发使用 单总线的开发使用过程分三步：1）单总线的硬件连接结构；2）单总线的操作命令序列；3）单总线的通信协议，总线的操作时序。 1．硬件结构 主机或从机通过一个漏极开路或三态端口连接至该数据线，这样允许设备在不发送数据时释放数据总线，以便总线被其它设备所使用。 为了使总线上所有电路的输出能完成“线与”的功能，连接到总线上的器件的输出级必须为“开漏”或“开集”的形式。其内部等效电路如图8-3所示 ２．单总线操作命令序列典型的单总线命令序列如图8-4所示，每次访问单总线器件,必须严格遵守这个命令序列,否则，单总线器件不会响应主机。但是，这个准则对于搜索ROM命令和报警搜索命令例外，在执行两者中任何一条命令之后，主机不能执行其后的功能命令，必须返回，从初始化开始。 控制器对18B20操作流程 总流程：初始化1-WIRE 总线——发送ROM 命令——发送Memory 命令——提取数据（可以没有） 1.复位：首先我们必须对DS18B20芯片进行复位，复位就是由控制器（单片机）给DS18B20单总线至少480uS的低电平信号。当18B20接到此复位信号后则会在15~60uS后回发一