探测器中扩散结深对光响应度影响的研究 influence of junction depth on photo responsivity of detector.pdfVIP

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2017-08-22 发布于上海
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探测器中扩散结深对光响应度影响的研究 influence of junction depth on photo responsivity of detector.pdf

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探测器中扩散结深对光响应度影响的研究 influence of junction depth on photo responsivity of detector

技术专栏 Cohmm Technology 探测器中扩散结深对光响应度影响的研究庄四祥，冯士维，王承栋，白云霞，苏蓉，孟海杰 (北京工业大学电子信息与控制工程学院，北京100124) 摘要：研究了InGaAs／InP PIN探测器中扩散结深对光响应度的影响，对不同扩散条件下的光电探测器进行了对比实验，测量了不同结深下器件的，-矿特性舜口光响应度。结果表明：扩散结深对器件的，-矿特性影响不大，而对光响应度影响很大，当结深处在InGaAs吸收层上表面时，光响应度最大值出现在波长1．55肚m处；而当结深进入衬底InP层后，光响应度最大值则出现在波长1肚m处。另外，在闭管扩散实验中，严格控制温度和扩散时间是控制结深的关键，研究了不同扩散温度和扩散时间下的结深，为器件的制备提供了参考。关键词：探测器；光响应度；InGaAs／InP；结深中图分类号：TN36文献标识码：A Influenceof onPhoto ofDetector Junction Depth Responsivity ZhuangSixiang，Feng Yunxia， Shiwei，WangChengdong，Bai Su Rong，MengHaijie (School ofEk咖毗InformationControl of 100124，China) Engineering，BeltingUniversityTechnology，Be{iing Abstract：Theeffectof on inInGaAs／lnPdetectorswagstudied．The junctiondepthresponsivity contrast forPINdetectorunderdifferentdiffusiveconditionsWag thedevice／-V experiment carriedon，and characteristicsand underdifferent weremeasured．Theresultshowsthatthe photoresponsivity junctiondepths havelittleinfluenceondeviceI-V hag influenceon characteristics，however，it junctiondepths great photo the formsonthe surfaceofInGaAs responsivity．Whenjunction upper absorbinglayer，thephotoresponsivity hagthemaximumva