钽阳极氧化膜的半导体性研究 study on semiconductor properties of anodic oxide films on tantalum.pdfVIP

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2017-08-22 发布于上海
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钽阳极氧化膜的半导体性研究 study on semiconductor properties of anodic oxide films on tantalum

第30卷第8期电子元件与材料、，|oI．30No．8 2011年8月 ELECTRONICCOMPONENTSANDMATERIALS Aug．2011 钽阳极氧化膜的半导体性研究庄朋强，肖占文，朱向东，范红松，张兴栋 (四川大学生物材料工程技术研究中心，四川成都610064) 摘要：用电容测量技术和电化学阻抗技术研究了高纯钽丝在稀磷酸(质量分数为o．01％，0．10％和1．00％)、氨水(pH=11)和饱和C02水溶液(pH=4)中阳极氧化形成的氧化钽膜在酸性缓冲液(pH=2)中的半导体性和阻抗特性．实验结果表明，来自非磷酸系的阳极氧化钽膜呈现出双极性(p-n)半导体结构特征，而来自磷酸系的则表现为三但磷酸系阳极氧化钽膜的耐酸腐蚀性弱于非磷酸系的．这些可能是磷酸根离子嵌入氧化钽膜外层的结果。关键词：阳极氧化钽膜：半导体特性；电容测量；Mott．Schottky分析；阻抗中图分类号：TM201 文献标识码：A 文章编号：1001-2028(2011)08—0035—05 ofanodicoxidefilmsOntantalum onsemiconductor Study properties ZHUANG Zhanwen，ZHU Pengqiang，XIAo Xiangdong，FANHongsong，ZHANGXingdong ResearchCenterfor (NationalEngineering Biomaterials，SichuanUniversity,Chengdu610064，China) measurementandelectrochemical usedto the Abstract：Capacitance impedancespectroscopy(EIS)wereinvestigate andcorrosionresistanceoftantalumoxidefilmsformedanodicoxidizationofTawires semiconductingproperties by immersedindiluted fraction saturatedcarbonic acids(mass0．01％，0．10％and1．00％)，ammonia(pH211)and phosphoric oxidefilmsformedinammoniaandsaturatedcarbonic resultsshowthattheanodictantalum acid(pa=4)respectively．The acid the thefilmsformedindiluted acid the characteristics，and