一种金属填充硅通孔工艺的研究 study on metal filled through silicon via process.pdfVIP

第32卷 笫2期 固体电子学研究与进展 V01．32，No．2 2012年4月 RESEARCHPROGRESSOFSSE Apr．，2012 一种金属填充硅通孔工艺的研究’ 肖胜安“ 程晓华 吴智勇 许升高 季 伟 何亦骅 (上海华虹NEC电子有限公司，上海，201206) 2011—09-26收稿，2011—12—06收改稿 silicon 摘要：硅通孔(Throughvia)的互连技术是3DIC集成中的一种重要工艺。报道了一种高深宽比的垂直 互连穿透硅通孔工艺，其通孔的深宽比达到50以上；研究了利用钨填充硅通孔的一些关键工艺，包括阻挡层淀积 工艺和钨填充工艺，分析了不同填充工艺所造成的应力的变化。最后获得了一种深宽比达到58：1的深硅通孔无 缝填充。 关键词：硅通孔；金属钨(w)；覆盖率；无缝填充 中图分类号：TN305文献