一种考虑自热效应的algangan hemt大信号模型 an improved large-signal model of algangan hemt considering self-heating effect.pdfVIP

第31卷 第1期 固体电子学研究与进展 V01．31，No．1 2011年2月 OFSSE Feb．，2011 RESEARCHPROGRESS 一种考虑自热效应的AIGaN／GaNHEMT大信号模型+ 王 林 王 燕“ (清华大学微电子学研究所，北京，100084) 2010—03—24收稿，2010—05—24收改稿 摘要：当AlGaN／GaNHEMT输出高功率密度时，器件沟道温度的升高将引起电流的下降(自热效应)。提出了 一种针对AIGaN／GaNHEMT改进的大信号等效电路模型，考虑了HEMT自热效应，建立了一种改进的大信号，一y 特性模型，仿真结果与测试结果符合较好，提高了大信号模型的精度。 关键词：铝镓氮／氮化镓异质结场效应晶体管；自热效应；等效电路；大信号模型 中图分类号：TN386文献标识码：A 文章编号：1000—