一种提高阻变存储器擦除可靠性的写电路设计 a novel rram write circuit with improved reset reliability.pdfVIP

一种提高阻变存储器擦除可靠性的写电路设计 吴 雨 欣 李萌 林殷茵 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室，上海，201203 2011-03-16 2011-05-27 摘要：针对现有阻变存储器中严重影响擦除操作可靠性的“写回”现象，结合测试数据、材料特性及电路原理分 析了引起这种现象的主要原因，给出了一种加入 “擦除反馈”功能的写电路设计方案。该方案能够对擦除操作进行 监控，一旦发现操作完成，立即使用反馈电路关闭写驱动的输出以停止擦除操作，防止 “写回”现象。优化后的写电 路方案在0.13μm标准CMOS工艺下进行了流片验证。通过测试数据的分析对比，可以看到相比传统的写电路方 案，采用文中的电路设计能明显降低 “写回失效”的可能，大幅度提高擦除操作的可靠性。 阻变存储器；写入与擦除;写驱动电路；比较与反馈 TN77;TN710 A 1000-3819(2011)05-0494-05 ANovelRRAMWriteCircuitwithImprovedResetReliability WU Yu