DT30HT-648型变温霍尔效应试验仪.PDFVIP

DT306-HT-648 型变温霍尔 效应 实验仪 使用说明书/实验指导书 北京百万电子科技中心 变温霍尔效应实验仪 霍尔效应的测量是研究半导体性质的重要实验方法。利用霍尔系数和电导率的联合测 量，可以用来确定半导体的导电类型和 载流子浓度。通过测量霍尔系数与电导率随温度的 变化，可以确定半导体的禁带宽度、杂质电离能及迁移率的温度系数等基本参数。本仪器采 用现代电子技术和计算机数据采集系统，对霍尔样品在弱场条件下进行变温霍尔系数和电导 率的测量，来确定半导体材料的各种性质。 一、基本原理 1．霍尔效应和霍尔系数 霍尔效应是一种电流磁效应 （如图一） B a Z l d UH Y Is X 图一 霍尔效应示意图 当半导体样品通以电流 Is，并加一垂直于电流的磁场 B，则在样品两侧产生一横向电势 R I B 差 U 这种现象称为 “霍尔效应”，U 称为霍尔电压，U H S （1） H， H H d U d 则RH H （2 ） RH 叫做霍尔系数，d 为样品厚度。 IsB 对于 P 型半导体样品，RH 1 （3 ） 式中 q 为空穴电荷电量，p 为半导体载流子 qp 空穴浓度。 1 对于 n 型半导体样品，RH  （4 ）式中为 n 电子电荷电量。 qn 考虑到