多晶硅薄膜太阳能电池衬底材料与制备工艺.docVIP

多晶硅薄膜太阳能电池的衬底材料和制备工艺.txt明骚易躲，暗贱难防。佛祖曰：你俩就是大傻B！当白天又一次把黑夜按翻在床上的时候，太阳就出生了 本文由materialsyang贡献 pdf文档可能在WAP端浏览体验不佳。建议您优先选择TXT，或下载源文件到本机查看。 第 3 4卷 20 0 5年 增刊 I 6月 稀 有 金属 材 料 与工 程 RARE ET LM A M A . TE ALS ND NGI RI A E NEE NG RI Vl4Spl o. , p. 3 u l Jn 0 5 2 0 u e 多晶硅薄膜太阳能 电池的衬底材料和制备工艺 张立明 ,李海峰2 ,黄 勇,张厚兴 ,万之坚 , 2 , 2 ,许 颖3 ,王文静 ( 1 .清华人学 材料科学与工程系, 北京 1 0 ) 08 04 (.清华大学 深圳研究生 院,广东 深圳 585) 2 107 (.北京 市太 阳能研究所,北京 108) 3 003 摘 要 :研究 了太阳能电池的发展历程,详细介绍了多晶硅薄膜 太阳能电池 的各种工 艺,阐述 了在实际研究过程中沉 积大晶粒多晶硅薄膜的技术路线和」艺,并对多晶硅薄膜 太阳能电池 的研 究趋势做 了展望 _ 关键词:陶瓷衬底:多n硅薄膜 :太 阳能电池 i p 中图法分类号:T 141 G . 7 文献标识码:A 文章编号 :10-8X 20 )106-3 0215(058-440 1 引 言 须要大幅度地 降低成本 .薄膜太 阳能电池在降低成本 方面 比品体太 阳能电池具有 更大的优 势:一是实现薄 膜化后 ,可极大地节省 昂贵 的半导体材 料;一是薄膜 电池的材料制备和 电池 同时形成,因此节省了许多工 照射在地球上的太阳能非常 巨大 ,每 3 阳向 d 太 地球辐射 的能量 ,就相当 于地球所有矿物燃料能量 的 总和 ;大约 4 mi照射在地球上 的太阳能 , 0 n 便足 以供 全球 人类 l 能量的消费, a 是真 正取之 不尽, 用之不竭 的能源.太阳能电池可将太阳能直接转化成 电能供人 类使 用,是利用太阳能资源 的有效方式 ,在使用 中不 会产 生任 何有害物质 ,是一种 无污染的产 品.另外太 阳能电池 还具有系统运行可靠 ,长寿命 ,安装使用方 便 等优 点,所以,太 阳能 电池在解 决能源与环境 问题 方面倍 受青睐,是 尸种有着极好市场前景 的产 品,被 誉 为是理想 的能源 20 年 诺 贝尔革新奖获得者, 02 澳大利亚新 南威尔 十大学 的马 」 格林教授把人 阳能电池划分为 三代 : 一 第 一 代是传 统的晶体硅材料太阳能 电池 :第 一代是方兴 未艾 的薄膜太 阳能电池;第 三代则是处 于设想 中的新 型 高效太 阳能 电池 , 包括叠层 电池 , 热载流子电池等 到 1前为止晶体硅 ( 1 包括单 品硅及多 晶硅 )太阳 能 电池 始终占有太 阳能电池市场份额的 8%以 卜 其 5 , 优异 的特 性己为众 多成功的应用所证实 .常规 品体硅 序; 三是薄膜太阳 能电 池采用廉价衬底( 陶瓷, 不锈钢 等) 可 以获得 大面积 的电池组件 ,减少组件间串并联 , 带来的效率损耗 . 目前研 究比较深入 的薄膜太阳能电池主要有硅 基 太阳能 电池和铜锢锡 ,硫化福 等化 合物 半 导体薄膜电 池. 非晶硅薄膜太阳能 电池虽在成本上具有一定优势 , 但光衰退效应严 重制约 了其 发展空间,一些理论问题 也有待进一步探 索 而铜锢 锡.蹄 化锅 等化合物薄膜 电池,也因为锢 兀素含量稀少, 锅元 素有剧毒等 问题 , 影响其应用化进程 .所 以,效率稳 定,原材料丰富的 多晶硅薄膜太阳能 电池成为最有希望取得 成功的第二 代太阳能电池. 清华大学新 型陶 瓷与精细 工艺国家重 点实验 室在 国 内首次将 ZR ( M 区熔再结 品)方法应用 到陶瓷衬底 多晶硅薄膜太 阳能 电池 的土艺 中,可 以得 到厘米 量级 的晶粒,并且在一定 的技术 处理和工 艺条件 的配合 下 可 以得 到 比 较 一 致 的 晶粒 取 向 . 太阳能电 池组件中硅片的 成本约占 50-0 1 硅 5 6%1 0 , 片的来源主要有: 直拉单 晶硅 , 浇铸/ 向凝固多晶硅, 定 2 多晶硅 薄膜 电池衬 底和 沉积工艺 在太 阳能 电池 中,吸 收太 阳光 能量所 需的半 导体 膜的厚度是很薄的.对硅 来说,在太 阳光谱峰值 附近 50 -0 n 0 n 60 ,吸收系数值为 10 m数量级,从