铁电性质的测定.docVIP

我的课题是做铁电材料，相关的电分析化学知识不太多，但是我们要用到铁电仪对材料的铁电性质做一个表征，也不知道算不算电分析的范畴，节选一些内容向田丹碧老师做一下汇报------写在前面的话 铁电体是这样一类晶体:在一定温度范围内存在自发极化,自发极化具有两个或多个可能的取向,其取向可能随电场而转向.铁电体并不含“铁”,只是它与铁磁体具有磁滞回线相类似，具有电滞回线，因而称为铁电体。在某一温度以上，它为顺电相，无铁电性，其介电常数服从居里-外斯（Curit-Weiss）?Ec。电场在正负饱和度之间循环一周时，极化与电场的关系如曲线CBDFGHC所示此曲线称为电滞回线。 图12.2-1 铁电体的电滞回线 图12.2-2 电滞回线的显示 电滞回线可以用图12.22-2的装置显示出来（这就是著名的Sawyer-Tower电路），以电晶体作介质的电容Cx上的电压V是加在示波器的水平电极板上，与Cx串联一个恒定电容Cy(即普通电容)，Cy上的电压Vy加在示波器的垂直电极板上，很容易证明Vy与铁电体的极化强度P成正比，因而示波器显示的图象，纵坐标反映P的变化，而横坐标Vx与加在铁电体上外电场强成正比，因而就可直接观测到P-E的 (12.2-1) 式中为图中电源V的角频率 为铁电体的介电常数, 为真空的介电常数,S为平板电容 的面积，为 平行平板间距离，代入（12.2-1）式得： (12.2-2) 根据电磁学 (12.2-3) 对于铁电体1，固有后一近似等式，代入（12.2-2） 因与都是常数，故与成正比。 （2）居里点Tc 当温度高于某一临界温度Tc时,晶体的铁电性消失。这一温度称为铁电体的居里点。由于铁电体的消失或出现总是伴随着晶格结构的转变，所以是个相变过程，已发现铁电体存在两种相变：一级相变伴随着潜热的产生，二级相变呈现比热的突变，而无潜热发生，又铁电相中自发极化总是和电致形变联系在一起，所以铁电相的晶格结构的对称性要比非铁电相为低。如果晶体具有两个或多个铁电相时，最高 的一个相变温度称为居里点，其它则称为转变温度。 （3）居里-外斯定律 由于极化的非线性，铁电体的介电常数不是常数，而是依赖于外加电场的，一般以OA曲线（图12.2-1）在原点的斜率代表介电常数，即在测量介电常数 时，所加外电场很小，铁电体在转变温度附近时，介电常数具有很大的数值，数量级达。当温度高于居里点时，介电常数随温度变化的关系 （12.2-5）erroelectric Memory）.2-1所示，当加到铁电体上电场为零时，铁电体上仍保持有一定的极化强度Pr(或-Pr),这个极化电荷的符号取决于该电体上原加场的符号。若原来加的正场，则当外场变为零场时，铁电体上为正的剩余极化（+Pr）r）Pr作为计算机编码0（Pr）r）Ps,永久极化Pr，矫玩场Ec等，而对于用于铁电存储器的铁电薄膜来讲，除此之外还有漏电流，铁电疲劳性能（永久极化与开关次数）及铁电保持性能（永久极化与时间关系）。通常要求永久极化，低矫玩场。好的疲劳特性，在铁电翻转次时，永久极化很少变化。在秒内可较好的保持电荷，漏电流小于。 3、铁电薄膜的制备方法 目前制备铁电薄膜的方法主要有：Sol-Gel凝胶法、MOCVD法、PLD法和溅射法。在这些制备方法中，每一种都有自身的特点。 （1）Sol-Gel凝胶法 Sol-Gel凝胶法是将金属的醇盐或其他有机盐溶解于同一溶剂中，经过水解、聚合反应形成溶胶。通过甩胶在基片上形成薄膜，经过干燥和退火处理，形成铁电薄膜。此方法能够精确控制膜的化学计量比和掺杂，易于制备大面积的薄膜，适于大批量生产，设备简单，成本低，可与微电子工艺技术相兼容。但这种方法易有不足之处，如膜的致密性较差，干燥处理过程中薄膜一出现龟裂现象，薄膜结构和生长速率对基片和电极材料很敏感。迄今为止，利用该方法已制备出PT、PZT、PLZT、BT、ST、BST等多种铁电薄膜。 （2）MOCVD法 MOCVD法是将反应气体和气化的金属有机物前体溶液通过反应室，经过热分解沉积在加热的衬底上形成薄膜。此法的主要优点是薄膜生长速率快，可制备大面积薄膜