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- 2017-08-23 发布于上海
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808 nm半导体激光器的温度特性 temperature characteristics of 808 nm semiconductor lasers
第40卷第12期 激光与红外 V01．40，No．12
2010年12月 LASER＆ INFRARED December，2010
文章编号：1001-5078(2010)12-1306-04 ·激光器技术·
808
nm半导体激光器的温度特性
马祥柱1，霍 晋2，曲 轶1，杜石磊1
(1．长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室，吉林长春130022；2．海特光电有限责任公司，北京100083)
w，2W，3W的器件在
摘要：用波长漂移法测试了808am半导体激光器额定功率分别为1
不同的输出功率下的热阻，得到额定功率为1W的器件在输出功率为1W时的热阻最小
为4．28l∥W，额定功率为2w的器件在输出功率为2w时的热阻最小为5．45l(／
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