ⅱ型超晶格inasgainsb红外探测材料 type ⅱ inasgainsb superlattices material for infrared detector.pdfVIP

第38卷第8期 激光与红外 V01．38．No．8 2008年8月 LASERINFRARED Augu8t，2008 文章编号：1001-5078(2008)08JD754JD3 ·综述与评论· Ⅱ型超晶格InAs／GaInSb红外探测材料 殷景志，高福斌，马 艳，纪永成，赵 强，王一丁，汤艳娜，索 辉，杜国同 (集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学实验区，吉林大学电子科学与工程学院，吉林长春130012) 摘要：综述了近年来对InAs／蹦nSbⅡ型超晶格材料的研究结果，给出了禁带宽度与各层厚 度和组分的关系。InA＆／蹦nSbⅡ型超晶格材料对应的工作波长范围在3—25岬，有望在 LWIR和VUnR方面替代HgCdTe。 关键词：InAs／GaInSb；Ⅱ型超晶榕；红外；探测器 文献标识码：A 中图分类号：TN304．2+3