gan肖特基器件电学性质的模拟研究 numerical modeling of electric characteristics of gan-based schottky device.pdfVIP

第38卷 第9期 激光与红外 V01．38，No．9 2008年9月 IASER＆ INFRARED 文章编号：1001-5078(2008)09．．0902-04 ·紫外材料与器件· GaN肖特基器件电学性质的模拟研究 胡其欣1’2，许金通2，储开慧2，李向阳2，刘骥1 (1．山东大学信息科学与工程学院，山东济南250100；2．中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室，上海2000s3) 摘要：基于二维数值模型对GaN肖特基器件进行模拟计算，主要研究MIS结构的肖特基器 件的界面层和本征漂移层对肖特基器件电学性质(电场强度分布和不同结构的，一y特性等) 的影响。模拟结果显示MIS结构的肖特基器件中的界面层主要影响器件的电流特性以及开 启电压，提高自身的电场强度，降低暗电流，而本征漂移层则主要影响器件的电场强度分布，对 器件的正向电流有比较明显的影响。通过器件模拟可以在一定程度上优化器件结构，提高器 件性能