短脉冲激光辐照下sio2损伤微观机理简化模型 a simple model of micro-damage mechanism of sio2 under short pulse laser irradiation.pdfVIP

第19卷第11期 强 激 光 与 粒 子 束 V01．19．No．11 2007年11月 HIGHPOWERLASERANDPARTICLEBEAMS NOV．；2007 文章编号：1001·4322(2007)11-1771-04 短脉冲激光辐照下Si02损伤微观机理简化模型’ 胡 鹏， 陈发良 (北京应用物理与计算数学研究所，北京IO0088) 摘要：从电子密度速率方程出发，建立短脉冲激光辐照下Si02材料中导带电子增长简化模型。计算了 Si02中光致电离速率和电子雪崩速率，得到Si02激光损伤阈值与脉冲宽度的关系，计算分析了光致电离和碰 撞电离两种电离机制在导带电子累积过程中的不同作用。结果表明：脉冲较长，碰撞电离几乎能提供全部的导 带电子，激光损伤阈值与脉宽的0．5次方成正比；脉冲较短时。导带电子主要由碰撞电离产生．光致电离提供碰 撞电离的初始电子．激光损伤阈值随着脉宽的减小，先增加后减小。 关键词：碰撞电离； 光致电离；激光损伤I 阈值 中