平面型2.6μm ingaas红外探测器变温特性研究 temperature-dependent characteristics study of 2.6μm planar-type ingaas infrared detector.pdfVIP

第39卷第6期 激光与红外 V01．39．No．6 2009年6月 LASERINFRARED June．2009 文章编号：1001．5078(2009)06-0612-06 ·红外材料与器件· 平面型2．6 1xm 李永富1’2，唐恒敬1’2，张可峰1’2，李淘1’2，宁锦华L2，李雪1，龚海梅1 (1．中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室，上海200083；2．中国科学院研究生院，北京100039) 外探测器件，研究了器件的光谱响应特性、变温电流一电压特性以及器件探测率的温度响应特性。 研究表明，不同温度下，在较低的偏压下，器件的正向暗电流的主要成分为源于材料缺陷的产生一 复合电流，随着电压增大，器件的电流将会受到串联电阻的限制而趋于饱和。在近室温(250K) 下，器件的反向电流主要以扩散电流和产生一复合电流