优化主氢流量及csi比提高76.2mm4h-sic同质外延浓度均匀性 doping uniformity improvement in 76.2 mm 4h-sic homo-epitaxial growth by optimizing main iydrogen flow rate and csi ratio.pdfVIP

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2017-08-25 发布于上海
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优化主氢流量及csi比提高76.2mm4h-sic同质外延浓度均匀性 doping uniformity improvement in 76.2 mm 4h-sic homo-epitaxial growth by optimizing main iydrogen flow rate and csi ratio.pdf

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优化主氢流量及csi比提高76.2mm4h-sic同质外延浓度均匀性 doping uniformity improvement in 76.2 mm 4h-sic homo-epitaxial growth by optimizing main iydrogen flow rate and csi ratio

第31卷第3期固体电子学研究与进展 V01．31．No．3 2011年6月 OFSSE Jun．，2011 RESEARCHPROGRESS mm 优化主氢流量及c／si比提高76．24H—SiC同质外延浓度均匀性李贷。孙永强高汉超许晓军 (南京电子器件研究所，微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室，南京，210016) 2011—02—23收稿，2011-05—27收改稿摘要：源在外延片直径方向上的耗尽导致了外延片上局部各点的生长速率及掺杂浓度是个随位置变化的量，因此造成了外延片厚度及浓度的不均匀性。通过引入基座气浮旋转可以有效降低这种不均匀性，在典型工艺条件 mm 下，采用基座旋转，76．2 4H—SiC外延片厚度不均匀性、P型掺杂浓度不均匀性和n型掺杂不均匀性分别为 0．21％、1．13％和6．96％。基座旋转并不能完全消除外延片n型掺杂浓度不均匀性。优化主氢流量及C／Si比能够 mm 改变掺杂源的耗尽曲线，将76．2 SiC外延片n型掺浓度不均匀性优化至2．096％(o／mean)。关键词：同质外延；碳化硅；均匀性；主氢流量；碳硅比中图分类号：TN304．05；TN304．2+4文献标识码：A 文章编号：1000—3819(2011)03．0218一05 in76．2mm4H—SiC DopingUniformityImprovement Growth Main FlowRateand Ratio byOptimizingIIydrogen C／Si LIYunSUN GAOHanchaoXU Yongqiang Xiaojun (Scienceand Monolithic Circuitsand ElectronicDevices TechnologyonIntegrated Modules，Nanjing Institute， Nanjing，210016，CHN) to of Abstract：Due local of will asa depletionreagents，thepropertiesepilayers change functionof onthewaferwithina cell theintra—-waferand position growthcausing dopingthick．． nessvariations．Rotationalis for the foilrota— helpful averaging reducingvariations．Usinggas tion，the concentrationand