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正确理解 IGBT 模块规格书参数 本文将阐述 IGBT模块手册所规定的主要技术指标，包括电流参数、电压参数、开关参数、 二极管参数及热学参数 ，使大家正确的理解 IGBT模块规格书 ，为器件选型提供依据。本文 所 用 参 数 数 据 以 英 飞 凌 IGBT 模 块 FF450R17ME3 为 例 。 文 章 来 源 ： /jc/156.html 一、电流参数 1. 额定电流（IC nom ） 大功率 IGBT 模块一般是由内部并联若干 IGBT 芯片构成 ，FF450R17ME3内部是3个 150A芯片并联，所以标称值为450A 额定电流可以用以下公式估算： Tjmax–TC= VCEsat·IC nom·RthJC VCEsat 是 IC nom 的函数，见规格书后图 1 ，采用线性近似VCEsat=(IC nom+287)/310 Tjmax=150℃,TC=80℃,RthJC =0.055K/W 计算得：IC nom=500A 2. 脉冲电流（Icrm 和 Irbsoa ） Icrm 是可重复的开通脉冲电流（1ms仅是测试条件，实际值取决于散热情况） Irbsoa 是 IGBT 可以关断的最大电流 所有模块的的 Icrm 和 Irbsoa 都是2倍额定电流值 1 18 第 页 共 页 3. 短路电流 ISC 短路条件:t10μs,Vge15V,RgRgnom(规格书中的值) ，Tj125℃ 2 18 第 页 共 页 短路坚固性 ØIGBT2为平面栅 IGBT:5-8倍 IC ØIGBT3/IGBT4为沟槽栅 IGBT:4倍 IC 二、电压参数 1. 集电极-发射极阻断电 Vces 测量 Vces 时，G/E 两极必须短路 Vces为IGBT模块所能承受的最大电 ，在任何时候 CE间电压都不能超过这一数值 ， 否则将造成去器件击穿损坏 Vces 和短路电流 ISC 一起构成了 IGBT模块的安全工作区：RBSOA图 由于模块内部寄生电感△V=di/dt*Lin 在动态情况下 ，模块耐压和芯片耐压有所区别 2. 饱和压降 VCEsat IFX IGBT 的VCEsat 随温度的升高而增大，称为VCEsat 具有正温度系数，利于芯片 3 18 第 页 共 页 之间实现均流 VCEsat 是 IC 的正向函数，随增大而增大 IC VCEsat 的变化 VCEsat 随IC 的增大而增大 VCEsat 随VG 的减小而增大 4 18 第 页 共 页 5 18 第 页 共 页 VCEsat 值可用来计算导通损耗 对于 SPWM 控制, 导通损耗是: 6 18 第 页 共