用PCVD法制备(TiA1)N膜的研究.pdfVIP

第4卷 第4期 薄 膜 科 学 与 技 术 V0L4No．4 ． 毁l墼1l且 n IIN FILM Sa ENCE AND TEUI．-INOLO(3Y 用 PCVD法制备(TiA1)N膜的研究 赵程 彭红瑞 李世直 (青岛化工学院目体薄膜研究室) 1991年 1月21耳收到 摘 要 本文报道 了在，C 墩 备 中用 目态atCt,~．成功地常J备 出(TL41)删睦．结果 表明，(TiAO膜 的台 ，量与 AICIj薄的温度成正比，而膜内Cl舍量则元明显变 化 ．(TiAfJⅣ膜保持 了 TiN膜 的面心立方晶体结构，但其 d， 晶面间距变小， 织构变弱，晶粒略有细化 ．(TiAI)N膜的显微硬度略高于或等于 TiN膜的硬 度，而其抗高温氧化性有较太幅度提高． 关罐词：等离子体化学气相沉积，(TiA1)N膜 一 、 目B 雷 等离子体化学气相沉积(简称 PCVD法)镀硬膜技术具有镀膜温度低，绕镀性好，工 艺调整方便，设备简单等优点．尤其是可以根据不同的要求制各出各种类型或不同配比的 硬膜 ． (TiA1)N膜是一种很有发展前途的新型薄膜材料．已用PVD法制备 出来 “ ．切削 试验表明，涂有(TiA1)N膜的钻头比涂TiN膜的钻头使用寿命可提高几倍，与未涂复的钻 头相 比可提高十几倍．另外，(TIA1)N 除具有高硬度外还具有抗高温氧化性的特点．它可 以将 TiN 的氧化温度从45012提高到 70012以上．这样就有可能将 (TiA1)N膜应用到热作 模具或高速切削刀具上． PCVD法{5j备薄膜时用的源物质，一般都是气态或沸点较低，在室温下呈液态物 质，如TiAk、BCI3等．制各 (TiA1)膜所用 A1C1在室温下却是固体 。饱和蒸气压较低 。 沸点(或升华点)较高．如 A1a，升华点高这 18012．若不采取一定措施难 以以气态进入反 应室 内．本工作通过改善沉积装置，将固体源化合物A1C1用于PCVD法镀膜过程，成 功地合成 了(TiA1)N膜． ·冒家 自然科学基金资助项 目 · 64 · 薄 膜 科 学 与 技 末 第4卷 二、试验设备及试验方法 试验是在改装后 的PCVD镀膜机上进行，改造后设备 的内部结构见 图 I．在沉积室 的底盘上安装了一套能控制温度的加热杆 ．A1cb装在加热杆顶部的坩埚内．当试样接近 镀膜温度时。开启加热电源 ，通过控制坩埚温度来控制 AICI的蒸发量．从 AICI~饱和蒸 气压和温度之间的关系看(表 1)。当 AICI加热到 12013时，A1C13饱和蒸气压即可达 L3 ×10Pa，超过反应室内工作压力，所以在本试验 中AICI3最高加热温度为 120C． 图 l 试验装置示意圈 (1)电源 (2)H2、N：、Tic[‘进气 口 (3)试 样 (4)Ala， (5)加 热 杆 (6)控 温 装 置 (7)真空泵 F旦l Schematicdhtgr~mofPCVD a口pa吨 “ (1)power supply (2]B2 N TiCI4inlet (3) ~ubstrate (4]AICIj (5)hezter (6)tempc~turc controller (7)VRCUIIL~Ipump 表 J ．41CIj饱和蒸气压与温度的关系 TableI Therelationbotweenthesaturationvopourprcssur~ ofAICI andtheevaporatingtcmpcranIre(5) mmHg l