二维有机纳米硅片几何和电子结构性质的第一性原理的分析研究.pdf

硕士论文 二维有机纳米硅片几何和电子结构性质的第一性原理研究 996 摘 要 l掣煅燃Y2061 石墨烯是只有一层原子的石墨片，具有完美的二维蜂窝状网格结构。伴随着其各种 新颖的特性被发现，石墨烯也吸引了各国研究者越来越多的关注。由于在周期表中与碳 同属一族，且具有许多相似的性质，因此，对于硅来说，是否具有石墨烯类似的结构就 吸引了非常多的研究兴趣。虽然实验上还未能制备出类似石墨烯的纯硅材料，但是，科 学家已于2010年成功制备出一种二维单层硅材料Si6H护h2。这种新材料的发现，也引 因此，相应的理论研究十分必要，在此基础上做出的理论解释也会进一步推动这类材料 的发展和应用。得益于理论物理化学和计算技术的发展，利用基于密度泛函理论的第一 性原理计算方法使得理论研究这类材料成为可能。 在第一章中，我们首先对硅材料的研究进展做了一个简要综述，包括硅晶体材料、 硅纳米团簇、硅纳米线和硅纳米管。然后着重介绍了二维类石墨烯结构的硅纳米单片材 料的实验和相应的理论研究进展。 第二章简要介绍了量子化学的历史及发展现状、密度泛函理论的理论框架和近年来 的发展。Kohn建立了密度泛函理论基础，他证明了多粒子体系的任何基态性质，都可以 表达为基态电子密度的泛函。通过将多体相互作用包含在交换关联能量中，使得多体问 题化为有效单粒子问题。因此，密度泛函理论发展的主线，就是寻找合适的交换相关能 量泛函。本章最后还简要介绍了本论文所使用的密度泛函计算软件包。 在第三章中，我们研究了实验发现的二维单层硅材料Si6H4Ph2的稳定性及其电子结 构。通过对纯硅纳米片Si6、加氢钝化的硅纳米片Si6H6以及添加苯基钝化的硅纳米片 我们发现Si6H护h2与Si6H6类似，显示间接带隙半导体性质，且拥有一个较大的能隙， 不利于其实际应用。 在第四章中，针对氢化和苯基钝化的硅纳米片均为间接能隙半导体且能隙较大的问 题，我们试探性地对硅纳米片的能隙调控进行了初步研究。我们的研究显示，通过氟化 硅纳米片，可以改变导带的成分，从而使硅基纳米片从原来的(氢化或苯基钝化)大能隙 间接半导体转变成小能隙直接半导体，这将更有利于在光伏技术方面的应用。 关键字： 有机硅纳米片，si6H4Ph2，几何结构，能带，态密度，半导体 Abs廿act 硕士论文 Abstract a and Graphe鹏ismonolay盱0f铲ap雠eh嬲a耐．ect铆o-d沛ensionalhoneycon如 struCture．W池nleofV撕ollSnovel h弱anraCtedmore觚dmo他 disc0VeDr propenies，it atte血onofresearche娼alloVertlleworld．SirlCesiliconandcarbon to也es锄e belong group i11 have h雏arouSed tllePeriodic shilar many Table锄d也ey propenies，it great硫erest whenlert11ere exist for n龇10sheet may graphelle-lme鲫mcture h硒notbeen ill t0 is in of铲aphene-l