原创力文档- 11
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- 2021-06-03 发布于四川
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- | 2011-01-10 颁布
- | 2011-10-01 实施
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ICS29.045
H 80
中华人 民共和 国国家标准
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GBT26066 2010
硅晶片上浅腐蚀坑检测的测试方法
Practiceforshallowetch itdetectiononsilicon
p
2011-01-10发布 2011-10-01实施
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局
发 布
中 国 国 家 标 准 化 管 理 委 员 会
中 华 人 民 共 和 国
国 家 标 准
硅晶片上浅腐蚀坑检测的测试方法
/ —
GBT26066 2010
*
中 国标 准 出版 社 出版 发 行
北京复兴门外三里河北街 号
16
邮政编码:
100045
网址:
g
服务热线:
010
年 月第一版
2011 6
*
书号: ·
155066 1-42668
版权专有 侵权必究
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GBT26066 2010
前 言
( / / ) 。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会 SACTC203SC2归口
: 。
本标准起草单位 洛阳单晶硅有限责任公司
: 、 、 、 。
本标准主要起草人 田素霞 张静雯 王文卫 周涛
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