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- 2017-08-25 发布于上海
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单粒子翻转与医疗器件 single-event upsets (seus) and medical devices
单粒子翻转与医疗器件
曼塑塑点!型垡堕堕£堕型!型!!塑!坐坚!
■美高森美公司
随符舆戚tu蹄llc)T艺口点不断缩小器仆匹靠易受高存储坼元的这种鼹转状卷心时性的.存储器mF趺写
能粒千的攻出而发生单粒于掰々(single-eventupset.SEU)入或m置l如重靳上电1时翻转就会棱清除:目前进来见
特剐血泼关洼的址器件中的静态RAM结掏j;兰些胎枉太SEU导致I嗌永九性脯的十胱
空应肿鲠域已经坫早敞意#{到的M题∞l令这种世魄也正在 存储器电路的SEU敏感性正在黼器件的更新换代而增
瑟适到其它铤域,∞JM络航审电干汽‘:.以及压疗辩件 巾釉暂工艺R寸的缩小.还会出现以下情况:
医疗器件诎会受到f1然环境存在的卞宙日{线攻击.而且Ⅱ ·fJt№.电压减小发‘#SEU所需的阐值降低
褂建现代版jfHL均中常见的辐射环境中工#山于遮蹩咀险 ·栅般l自l$芒信小.造戍电容碱小.进而减小了能够降低
足箍然的,‘蛮嘎疗嚣件世“人城如今推器件选啦时也必 发乍翻转f糯的临抖电甜
须婴母虑器件的SEU影响本文将就造什』札险给出定义 ·存睹啦J£面$端小.投而而#{哦小闻此也醯少了粒
并川t枉可编B埋$}器件内减少和鞋兜这蜂M暾自q方法 r爱击帅机会
韩后米是存储器组件的sEu敏感性增加。这样脉
引言 本仅枉太空应川中才需要*洼的问题如今甚至畦为地面
CMOS仃始结构(如静态RAM单兀和自拨器}n受剑j.的商可靠性琏备(如医疗垃品)没计^员的·浦,
高能粒丁箍Jill,t释苗发生翻转(I[IJ状抽女变)这些高能札
f-可能足阿躺j、falpha)札r中丁质r戒柞种乖离于
他“J肚¨≠}Ⅱ射线与大气仆堪中的牡f碰摊.或1’宙射线群
放的粒f-与jo宙射线一趺碰撞而产q二的中宙射线的E要成
舟是中r硅改址,,地球在NP子埔挝帅7%量32%的质于
这些粒F鲫|E它米源心装和硅基什本身集成电路的
封鞋材料台有做㈣铀8唯t(thoriuml选州种记番舱产生
高能阿尔法粒r此外祚多托睦捧杂基J{掊泉,或鼎碡
畦玻璃fBPSGl一h受大景使}H硼元素当这些常见的珊『m
位辩(10B)之艘某骶能埘(热能}中r击·{·(即所料中
r捕鞭)鞔会产4.十钟离f和十阿自::糙于如粜扯
m”硎,L索_I;’{H目t线-l一的低能垃·I-n£刮定浓度.这种FPGAtY术ssEU敏感性
辐射效应可能垒较大¨|千这些杖于的iI;c头部庄器仆内部 所靠FPGA自:有许多共叫的特点:排有一个逻辑阵列
【q此再多的外部h撇{j}施世无f埔【{帖4#粒f- (即FPGA培础架构)组嵌^式存储器可能迁有一些
当趟些带IU牲P轰击刊lc的硅片上将佑F道电离
杞类似地当·个岛能粒于(如中rI撞到硅J}上.将与
以址J目姐的可编程I/O接LJ也蹄。,lqeJFPGA产品系列问
硅片内的娘于碰掩释放一群带电轴子.这也会留下一值电 曲冀饪E差掉之胜其逻辑阵列不埘供戊商之FPGA产品
离痕这“】ln离佧川会产生垃以垭舒饭过址从而嫂变存储 系列肿逻#}艇块斫采用的抖体结构和模块互莲方式部有所
蚺正状怒【雠翻转)的lU衙造种存砧坼元的状忠变化即单瓜叫Ⅲ胜种Ⅱ连方式lF址对SEU的美i£的皿点所在
较r翻转fSEU){磬见f目11 FPGA有州种走线打JI=台榭连接和通孔连接。mJ
万方数据
II。。。+i。。。。,.,。。。。。。。…
FPGA中的这些通孔是可编程的椅啦箍个可自;}程埋辑技 幡静志结构.断咀后结构状志仍然f*持
术fn基础
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