低驱动电压电容式rf mems开关结构设计优化 mechanical topology optimization for low threshold voltage capacitive rf mems switches.pdfVIP

MEMS器件与技术 MEMS Device＆Technology 低驱动电压电容式RFMEMS开关结构设计优化 高 杨1’2，刘 佳38，白竹川3b，刘婷婷38，陈营端38 (1．中国工程物理研究院电子工程研究所，四川绵阳621900； 2．重庆大学光电技术及系统教育部重点实验室，重庆400044； 3．西南科技大学a．信息工程学院；b．制造科学与工程学院，四川绵阳 621010) 摘要：RF MEMS开关将成为微波、高频信号控制的关键器件。针对其驱动电压过高，不能满足 现代通信系统低电压的要求，推导了电容式RFMEMS开关驱动电压的理论公式；基于降低开 关柔顺结构的弹性系数、驱动电极上极板与可变电容上极板分离的思路，优化设计了三种具有不 同的连接梁和支撑梁结构形式的开关微桥柔顺结构。第一种结构为驱动电极板和电容上极板之间 以双直梁连接；第二种结构以一组弹性折叠梁代替结构一中的双直梁；第三种结构是在结构二的 基础上，改变了起支撑作用的弹性折叠梁的方向。使用MEMS 结构进行了机电耦合仿真，仿真结果表明开关的驱动电压小于3V。 关键词：微电子机械系统；射频微电子机械系统；开关；机电耦舍Ware软件 Mechanical forLowThreshold TopologyOptimization Voltage RFMEMSSwitches Capacitive Gao t2，LiuJia3‘，BaiZhuchuan3“，Liu Yingduan3‘ Yan91 Tingting一4，Chen (1．InstituteElectronic 621900，China； of Engineering。ChinaAcademyofEngineeringPhysics，Mianyang and 400044,China； 2．KeyLaboratoryofOptoelectronicTechnologySystem，ChongqingUniversity，Chongqing 3．乱School School Scienceand ofInformationEngineering：b．ofManufacturingEngineering，Southwest Scienceand 621010，China) Universityof Technology，Mianyang switch in fieldofthemicrowaveandmm-wave Abstract：ARFMEMSwillbethe elementthe key ofthe isthatthethresholdistoo tOmeet contr01．A voltage high signal challengepracticability modernlow communication forthethresholdofthe voltage systems．Formula voltage capacitive