低功耗cmos电压基准源的设计 design of a low power cmos voltage reference.pdfVIP

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2017-08-25 发布于上海
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低功耗cmos电压基准源的设计 design of a low power cmos voltage reference.pdf

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低功耗cmos电压基准源的设计 design of a low power cmos voltage reference

低功耗CMOS电压基准源的设计郭丽芳，姚若河，李文冠 (华南理工大学物理科学与技术学院广东广州 510640) 摘要：给出一低功耗、低温度系数的电压基准源电路的设计。其特点是利用工作在弱反型区晶体管的特性，该电压基 75 准源采用CSMC0．5肛m，两层POLY，一层金属的CMOS工艺实现，芯片面积为0．036mm2。测试结果表明：其最大工作 V输入电压}20～100℃范围内，平均温度系数为电流不超过380nA；在2．5～6V工作电压下，线性调整率为0．025％；4 64ppm／℃。以更小的面积，更低的功耗实现了电压基准源的性能。关键词：电压基准源；低功耗；CMOS；POLY 中图分类号：TN710 文献标识码：B 文章编号：1004—373X(2008)12—027一04 ofaLowPowerCMOS Reference Design Voltage GUO Lifang，YAORuohe，LIWenguan China of (PhysicsScienceTechnologyCollege．SouthUniversityTechnology，Guangzhou，510640，China) ultralow coefficientreferenceisdescribedinthis characteristicof Abstract：Anpower，lowtemperaturevohage paper．The is inCSMC theweakinversionMOStransistorisusedinthisarichiteeture．Thereference 0．5弘m，double voltage implemented metalCMOS diesizeis0．03675 show maximum currentis POLY，single process，the mrnz．Testresultsthat：the operation lessthan380nA，theline from2．5～6Vis0．025％，themean coefficientfrom20～100℃is regulation temperature 64 andlower thanother 4V innovationsaresmallerdiesize powerconsumptionvoltage ppm／℃atsupplyvoltage．Thebiggest references． reference；low Keywords：bandgapvoltage power；CMOS；POLY 改进，设计了一款最大消耗380nA电流的电压基准源，大 l 引言大减小了面积，且与CMOS工艺兼容，同时提出一种新的电压基准可以在温度及电源电压变化环境中提供稳