改善a-si tft lcd像素电极跳变电压方法研究 the investigation to improve kickback voltage of pixel electrode of a-si tft lcd.pdfVIP

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2017-08-25 发布于上海
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改善a-si tft lcd像素电极跳变电压方法研究 the investigation to improve kickback voltage of pixel electrode of a-si tft lcd

马占洁：改善a-Si‘r盯LCD像素电极跳变电压方法研究文章编号：1006-6268(2009)04-0019-05 TFT 改善a—Si LCD像素电极菝术交跳变电压方法研究流马占洁 (北京京东方光电科技有限公司，北京100176) 摘 TFT 要：非晶硅薄膜晶体管液晶显示器(a—Si LCD)中，在栅极信号由开启到关断的瞬间，由于栅源耦合电容Cgs的存在，使像素电极电压出现跳变，跳变前后像素电极电压差称为△vp。降低Avo一方面能减小闪烁程度，降低残像残留，同时还能最大程度地提高像素电极保持阶段的电压。防止出现因TFT漏电流过大而造成的像素电极电压衰变到所应显示灰度电压之下。从而出现显示灰阶的变化。本文从理论上分析了△Vp形成原理，介绍了两种能有效降低AVp的方法，即多栅极电路和脉冲式存储电容。关键词：液晶显示器：跳变电压：多栅极电路：脉冲式存储电容中图分类号：TN873+．93文献标识码：B The to Kickbackof InvestigationImprove Voltage Electrodeofa—SiTFTLCD PixeI MA Zhan-jie BOE 100176，China) (BeijingOptoelectronicsTechnologyCO．，LTD．，Beijing Abstract：Ata—SlTFT isfromonstatetooff tothe LCD，whensignal state，due gate of electrodeandsource of Cgs electrode，the pixel couplingcapacitancegate voltage electrodetakes namethekickback as placekickback，we voltageAVp．Oneside，decreasing flicker theother A can A candecreaseleveland Vp imagesticking；On side，decreasingVp the of electrodeat avoidthe of mostIyimprovevoltagepixe