电路板的有限元热分析及热变形分析方法.docVIP

电路板的有限元热分析及热变形分析方法 　　摘 要 为避免工作发热导致集成电路失效，电路板的设计应满足工作温度和热变形要求。本文在阐述物体热量产生和传导理论基础上，利用有限元分析软件建立了相关集成电路板的有限元模型，分析确定其工作时的边界条件，对其进行了温度场分析、热加载下的结构变形分析，并研究了电路板散热条件对温度场和热变形的影响。实际测量结果和仿真结果相吻合，说明该方法可为集成电路的设计提供参考依据。 　　关键词 电路板 有限元 热分析 热变形 　　由于集成电路不断地微型化和电子封装密度的不断提高，单位体积内容易产生更大的热量。电路板在使用中会发热使温度升高，当温度过高时，会引起自身或相关设备的损坏或恶化使用环境，失效率增加；发热还可能引起电路板热变形，如果封装材料间热膨胀系数不匹配，还会导致焊锡开裂导致电路失效。因此在设计阶段需要了解其工作条件下温度场分布及发热变形情况，以便针对性地设置散热条件，保证电路板正常工作。 　　国内外对集成电路的研究工作包括稳态热分析、瞬态热分析、电热耦合的分析等，主要集中在热分析方法算法研究，和电路板温度场分布研究。 　　1电路板材料和结构布局设计 　　为使MOSFET板结构紧凑，一般在电路板上均匀排列布置电路元件。在工作状态下，MOSFET需要流经大电流，内部温度将快速升高。金属铝基印制板可有效地解决散热问题，从而使印制板上不同材质、不同类型的元器件的热胀冷缩问题缓解，提高了整机和电子器件的耐用性和可靠性。MOSFET管、正极、负极和三相铜柱为发热元件；热量有热传导方式通过铝基板传递到底座铝板，然后通过辐射方式散发到周围空气中。持续工作的电路板，在工作初期，发热量大于散热量，温度逐渐上升，当散热与发热达到平衡时，系统达到稳定状态，温度保持稳定。 　　2有限元分析 　　2.1 模型计算参数和边界条件 　　按照实际尺寸建立铝基板、发热元件和底座铝板的几何模型。 　　（1）单元类型：采用热分析三维单元SOLID90，20节点，每个节点都有单独的温度自由度。 　　（2）计算参数：电路板和底座材料为铝，密度?%j=2700kg/m3；比热c=0.88?？03J/（kg?℃）；铝的弹性模量为E=0.72?？011 Pa；泊松比?%e=0.33；铝的导热系数?%Z=237W/m?K，热膨胀系数?%d=23?？0-6/℃。 　　（3）边界条件：初始温度为25℃，环境温度为25℃，此属于第一类边界条件。每个MOSFET管最大发热为3.75W，正极、负极和三相铜柱发热为分别为10W，5W，10W，将发热量除以面积即为产生的热流密度，属于第二类边界条件。常温自然条件下铝与空气对流系数为20W/m2?K，在散热条件改善时，不同散热环境可达到30W/m2?K～120 W/m2?K，属于第三类边界条件。 　　由于每组MOSFET都有两种工作状态，“上桥臂导通，下桥臂关断”，称为“1”状态，“下桥臂导通，上桥臂关断”，称为“0”状态，因此三组MOSFET共有8种组合方式：000、001、010、011、100、101、110和111。以组合方式“101”为例。 　　2.2温度场分析结果 　　在在不同散热条件下，铝底板对流散热率不同，分别进行自然条件、通风条件好、有散热风扇、专门设备散热条件下的稳态热分析，计算两组元件交替工作时的温度分布和热流率分布；以及最坏散热工况下即最高温度下的热变形。在风扇散热条件下，铝底板向周围散热率50W/m2?K。各组MOSFET交替工作时，温度分布相近，计算结果图略。对散热条件改善，电路板稳态温度会下降。 　　MOSFET温度每升高10℃，驱动能力下降约4%。随着散热条件的加强，MOS管温度下降。铝基座散热率超过50W/m2?K后，MOSFET温度下降率减小。因此，在风扇散热条件下，基本能满足工作温度低于80℃的要求。铝底板贴散热硅胶后，长期工作，MOS管温度可保持在46℃以下。通过温度分布梯度图可以看到，电路板的散热均匀，最高和最低温差在4℃左右。铝基座也为散热作用，当基座从10mm增加到20mm时，散热率会相应增加，最高温度由73.8℃降低为67.3℃。底座的增厚对散热效果不大。 　　2.3热变形分析 　　由于发热引起电路板膨胀，计算在通风条件下（铝底板对流散热率30 W/m2?K）的热应力和变形。由于4组MOS管分别工作时，发热量相当，只计算101组工作时热变形，其余参考101组工作时热变形。将热分析单元转换为结构分析单元SOLID186，将存储在临时文件中的各单元的温度作为载荷施加与模型，给定热膨胀系数和周围环境温度，分别计算粘接底面约束和四角螺栓固定时的电路板热变形和应力。 　　通过计算，工作在该种工况下，如四角螺栓固定不紧，最大变形量为0.6