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开关电源上MOS 管的选择方法 MOS 管最常见的应用可能是电源中的开关元件，此外，它们对电源输出也大有裨 益。服务器和通信设备等应用一般都配置有多个并行电源，以支持N+1 冗余与持续工作 (图 1)。各并行电源平均分担负载，确保系统即使在一个电源出现故障的情况下仍然能 够继续工作。不过，这种架构还需要一种方法把并行电源的输出连接在一起，并保证某 个电源的故障不会影响到其它的电源。在每个电源的输出端，有一个功率 MOS 管可以 让众电源分担负载，同时各电源又彼此隔离 。起这种作用的MOS 管被称为ORingFET ， 因为它们本质上是以OR 【或】逻辑来连接多个电源的输出。 图 1 用于针对N+1 冗余拓扑的并行电源控制的 MOS 管 在 ORing FET 应用中，MOS 管的作用是开关器件，但是由于服务器类应用中电源 不间断工作，这个开关实际上始终处于导通状态。其开关功能只发挥在启动和关断，以 及电源出现故障之时。 相比从事以开关为核心应用的设计人员，ORing FET 应用设计人员显然必需关注 MOS 管的不同特性。以服务器为例，在正常工作期间，MOS 管只相当于一个导体。因 此，ORing FET 应用设计人员最关心的是最小传导损耗。 低 RDS(ON)可把 BOM 及 PCB 尺寸降至最小 一般而言，MOS 管制造商采用 RDS(ON)参数来定义导通阻抗 ；对 ORing FET 应用来 说，RDS(ON)也是最重要的器件特性。数据手册定义 RDS(ON)与栅极(或驱动)电压 VGS 以及 流经开关的电流有关，但对于充分的栅极驱动，RDS(ON)是一个相对静态参数。 若设计人员试图开发尺寸最小、成本最低的电源，低导通阻抗更是加倍的重要。在 电源设计中，每个电源常常需要多个 ORing MOS 管并行工作，需要多个器件来把电流 传送给负载。在许多情况下，设计人员必须并联 MOS 管，以有效降低 RDS(ON)。 需谨记，在 DC 电路中，并联电阻性负载的等效阻抗小于每个负载单独的阻抗值。 比如，两个并联的 2Ω 电阻相当于一个 1Ω的电阻。因此，一般来说，一个低 RDS(ON)值 的 MOS 管，具备大额定电流，就可以让设计人员把电源中所用 MOS 管的数目减至最 少。 除了 RDS(ON)之外，在 MOS 管的选择过程中还有几个 MOS 管参数也对电源设计人 员非常重要。许多情况下，设计人员应该密切关注数据手册上的安全工作区(SOA)曲线， 该曲线同时描述了漏极电流和漏源电压的关系。基本上，SOA 定义了 MOSFET 能够安 全工作的电源电压和电流。在 ORing FET 应用中，首要问题是 ：在完全导通状态下 FET 的电流传送能力。实际上无需 SOA 曲线也可以获得漏极电流值。 若设计是实现热插拔功能，SOA 曲线也许更能发挥作用。在这种情况下，MOS 管 需要部分导通工作。SOA 曲线定义了不同脉冲期间的电流和电压限值。 注意刚刚提到的额定电流，这也是值得考虑的热参数，因为始终导通的 MOS 管很 容易发热。另外，日渐升高的结温也会导致 RDS(ON)的增加。MOS 管数据手册规定了热 阻抗参数，其定义为 MOS 管封装的半导体结散热能力。RθJC 的最简单的定义是结到管 壳的热阻抗。细言之，在实际测量中其代表从器件结(对于一个垂直 MOS 管，即裸片的 1 上表面附近)到封装外表面的热阻抗，在数据手册中有描述。若采用 PowerQFN 封装 ， 管壳定义为这个大漏极片的中心。因此，RθJC 定义了裸片与封装系统的热效应。RθJA 定 义了从裸片表面到周围环境的热阻抗，而且一般通过一个脚注来标明与 PCB 设计的关 系，包括镀铜的层数和厚度。 开关电源中的 MOS 管 现在让我们考虑开关电源应用，以及这种应用如何需要从一个不同的角度来审视数 据手册。从定义上而言，这种应用需要 MOS 管定期导通和关断。同时，有数十种拓扑 可用于开关电源，这里考虑一个简单的例子。DC-DC 电源中常用的基本降压转换器依 赖两个 MOS 管来执行开关功能(图2) ，这些开关交替在电感里存储能量，然后把能量释 放给负载。目前，设计人员常常选择数百 kHz 乃至 1M