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等离子辅助电子枪蒸发沉积AlN薄膜 及等离子密度诊断 黄孟祥，陈俊芳，张洪宾，赖秀琼 华南师范大学物理与电信工程学院, 广东广州510006 Email:allen360@163.com 摘要： 摘摘要要：：利用ICP 离子源辅助电子枪低温蒸发沉积AlN薄膜，对薄膜进行XRD谱分析，用 AFM原子力显微镜测试了薄膜的表面形貌，经过高温退火后的薄膜表面具有良好的平整性 和致密性。利用朗缪尔静电单探针诊断了射频ICP离子束辅助电子枪蒸发镀膜装置反应室内 等离子体密度的空间分布规律，离子体离子主要积聚在离子源截面附近，离子源轴心处等离 子体密度最大，往上下两端急剧下降，扩散到远处明显降低，中、外孔处的离子密度较均匀， 得出了适合沉积薄膜的等离子变化比较稳定的区域。并且分析了偏压对等离子体密度的影 响，加（200V，-200V）离子引出偏压的等离子体密度是加（100V，-100V）离子引出偏压 的等离子体密度的好几倍。 关键词： 关关键键词词：：氮化铝；等离子体；ICP离子源；朗缪尔探针 中图分类号： 中中图图分分类类号号：：O434 1 11．引言 AlN 于19 世纪60 年代被人们发现, 禁带宽度为 6.2eV，并具有直接带隙，是重要的 蓝光和紫外发光材料，由于AlN具有高击穿场强、高热导率、高电阻率和高热稳定性, 而且 还有着相当大的压电耦合常数，极高的超声传输速度。这些独特的性质，使其在电、光、半 [1] 导体和表面声领域应用前景广阔 。目前，制备AlN薄膜的方法有直流磁控反应溅射，射频 [2,5-6] 磁控溅射，电子束蒸发，离子束溅射，等离子体化学气相沉积(PECVD) ，有机金属化合 物气相沉积（MOCVD）等。上述这些沉积方法在较高温度下进行，这将会在薄膜中引大的内 应力，很容易导致膜层断裂。本文采用等离子体辅助电子枪蒸发技术在室温下制备AlN薄 膜，利用原子力显微镜（AFM）分析了薄膜的表面形貌，又对薄膜进行了XRD分析。同时 利用Langmuir单探针诊断了射频ICP等离子体辅助电子枪蒸发镀膜装置反应室内等离子体 [3] 密度的空间分布 ，对其分布特性以及偏压变化所产生的影响进行了分析。 2 22．实验装置设备 实验所用的离子束辅助电子枪蒸发沉积薄膜装置是由华南师范大学物理与电信工程学 院和安徽合肥中国科学院等离子体研究所合作共同研制，并由北京东方盖德真空实业有限公 司制造，设备如图1所示。离子束辅助电子枪蒸发镀膜装置由反应室，真空系统，真空测量 [4] 系统，配气系统，电子枪，等离子体产生和引出系统等组成 。反应室呈圆柱形，尺寸为Φ 500mm ×600mm。离子源由R-F射频发生器、功率匹配器、感应线圈、放电室和离子引 出透镜组成，其出口直径为Φ60mm。工作气流通过流量计控制引入ICP离子源，采用射频 感应耦合的方法，使工作气体离化产生气体放电，然后由离子透镜引出到反应室。 单探针测量系统：反应室的底部留有3个探针孔，且与离子源中心在一条直线上，其中 内孔、中孔和外孔距离源子口分别是40mm、140mm和240mm，探针分别放入这3个测量 孔处位置进行测量如图1 所示。竖直方向取点从离底部2cm处开始作为坐标0点，坐标1cm 1 处作为第一个点测量点并依次间隔2cm取点，共取12个点进行测量。 3. 33..