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40 4 Vo.l 40 No. 4
2007 4 Journal of Tianjin University Apr. 2007
胡 明, 张绪瑞, 张 伟, 杨海波, 周庆瑜
( , 300072)
: 为了用计算机模拟电化学方法制备多孔硅的过程, 基于M ont Carlo 和扩散限制模型( DLA)建立 一 新模
型, 引入耗尽区范围腐蚀半径和腐蚀几率等参数, 用M atlab来实现. 模拟得到了电流密度HF 酸浓度腐蚀时间以
及硅片掺杂浓度等实验条件对多孔硅孔隙率的影响趋势, 与实验结果 一致, 模拟出的孔隙率值也与实验值接近. 因
此所建立的模型可以用来模拟电化学法制备多孔硅的过程.
: ; ;
: TN304. 12; TP39 1. 9 : A : 2007)
Computer Simulation of Formation and Porosity of Porous Silicon
HU M ing, ZHANG Xuru,i ZHANG W ,i YANG H aibo, ZHOU Q ingyu
( School of E l ctron ic Inform ation Engin ring, T ianjin Un iv rsity, T ianjin 300072, Ch ina)
Abstract: To smi ulat th form ation of porous silicon by l ctroch m istry tch ing, a n w m od lwas built bas d
on Mont Carlo and d iffusion lmi it d aggr gation ( DLA) m od l. T h n w m od l brought in th param t rs of
xhaust d ar a scop , tch ing radius, and tching probability, tc, and was x cut d by M atlab. Th r lation
sh ips b tw n porosity and xp rmi ntal conditions( curr nt d nsity, HF conc ntration, tching tmi , and do
ping l v l of th silicon) w r smi ulat d, and th r sults ar consist ntw ith th xp rmi ntal on s. Th valu s
of porosity smi u lat d ar also clos to th xp rmi ntal on s. So th mod l built can smi ulat th proc ss of th
formation of porous silicon.
Keywords: porous silicon; porosity; comput r smi ulation
MEM S, ,
[ 7]
. ,
.
( functional and structur , M C
[ 1 3]
al lay r) ( sacrificial lay r) . DLA,
[ 4 6 ] M ont Carlo (M C) ,
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