第二章材料气相制备化学(cvd部分).ppt

第三章 材料气相制备化学 3.1 简介 主要介绍: 化学气相沉积（CVD） 和有机气相聚合。 化学气相沉积硒化锌 硒化锌晶体属于面心立方, 晶格常数为0. 566 7 nm ,熔点1 520 ℃,禁带宽2. 4 eV , 具有直接跃迁型能带,作为一种优良的发光材料,发光效率高,近年来一直是研制蓝光激光二极管的热门材料。另外,由于它既透红外又透可见光,透光范围宽,又具有吸收系数低、不潮解、导热好的特点,又被认为是制作大功率CO2激光窗口最有前途的材料。但是ZnSe 晶体在熔点时分解压达到182 kPa ,制备大的单晶十分困难。目前应用最多的仍然是ZnSe 多晶。 制备ZnSe 多晶,最早采用的是热压方法,在上世纪70 年代后,由于工业技术的发展和对材料需求的增长,气相沉积硒化锌晶体获得成功。相比而言,由于热压ZnSe 经受高温高压的强致密作用,具有较高的机械强度,而气相法沉积ZnSe 是使非基质分子分馏, 具有提纯效果, 使ZnSe 晶体的透射性能和吸收性能远远好于热压方法制备的ZnSe 晶体。化学气相沉积(CVD) 方法,已成为研制ZnSe 多晶最重要的方法。 金刚石及薄膜 　金刚石(碳)和同族元素硅、锗一样是优良的半导体材料。禁带宽度为5.45 eV,此外还具有最高的击穿场强度(106 ～107 V·cm- 1 ) ,最大的电子饱和速度(2 ×107 c