半导体材料第9讲-iii-v族化合物半导体的外延生长2.pptVIP

半导体材料 III-V族化合物半导体的外延生长 MOVPE法生长GaN GaN的熔点约为2800℃，在这个温度下氮的蒸气压可达4.5×109Pa．即使在1200～1500℃温度范围内生长，氮的压力仍然为1.5×109pa，并且N在Ga中的溶解度低于1％，因此，很难生长体单晶。 由于得不到GaN衬底材料，所以GaN只能进行异质外延生长。目前作为实用的衬底材料的有SiC、蓝宝石等，也在寻找新的衬底材料，如ZnO、Si、GaAs及某些锂盐等。现在用于生长制备高亮度蓝色发光二极管所需GaN系材料的方法是MOVPE,， 原料：以蓝宝石(0001)为衬底，NH3和TMG为N和Ga源，H2为输运气体。 晶格失配：由于GaN和衬底之间的失配大到15.4％，为此先用MOVPE法，在550℃左右，在衬底上先生长一层20～25nm厚的GaN的缓冲层，然后升温至1030℃，接着生长GaN外延层。 晶格失配 在异质外延层和衬底或相邻的两个外延层之间，如果存在晶格常数的差异，称之为晶格失配。 晶格失配率： 其中：f为失配率(度)，a1和a2分别为外延层材料和衬底材料的晶格常数。 　　　　　　　　　　　　　　见课本P195 晶格失配的影响 晶格失配的存在，常给器件制做和性能带来不利的影响。 要想使两种晶格常数不同的材料在原子尺寸范围内达到相互近似匹配，只有在晶格处于弹性应变状态，即在两种晶格交界面附件的每个原子偏离其正常位置时才能实现。 当这种应变较大时，即存储在晶体中的应变能量足够大时，将通过在界面处形成位错而释放，所形成的位错称为失配位错。实验表明，在异质结外延层中，晶格失配引起的位错密度可达107-108/cm2，甚至达到1010/cm2。如果发光器件的有源区中有如此高密度的位错，其发光效率将大大降低。 晶格失配不利影响的消除办法 (1)临界厚度法 在异质外延生长时，应变能是随着外延层的厚度增加而增加的。通常把外延层即将释放应变能形成失配位错时的厚度称为“临界厚度”。 　因此在进行异质外延生长时，如果其厚度不超过临界厚度，则外延层是完整的，没有失配位错。 特点：制备的外延层无位错，但外延层厚度较小 GaN的外延生长 二步外延法：由于GaN和衬底之间的失配大到15.4％，为此采用二卡外延法。 1）先用MOVPE法，在550℃左右，在衬底上先生长一层20～25nm厚的GaN的缓冲层（不超过临界厚度，不会产生位错。） 2）升温至1030℃，接着生长GaN外延层。 双气流MOVPE 由于GaN生长温度高，GaN易分解，产生较多N空位。为了解决这个问题，采用双气流MOVPE (TWO Flow MOVPE，TF-MOVPE)系统。这个系统使用二组输入反应室的气路。 一路称为 主气路，它沿与衬底平行方向输入反应气体(NH3、TMG和H2混合物)。 另一路称为 副气路，它以高速度在垂直于衬底方向输入H2和N2的混合气体。副气路输入的气体的作用是改变主气流的流向和抑制生长GaN时的热对流，从而生长了具有高迁移率的GaN单晶层。 GaN的掺杂 一般生长的非掺杂的GaN都是N型的，为了生长PN结结构，要进行掺杂。 常用的N型掺杂源是SiH4，其掺杂浓度可达1017～1019／cm3。 为了获得P型GaN，首先要将非掺杂GaN的N型背景杂质浓度降下来，再用二茂基镁为源掺杂镁，经低能电子束辐射或在N2气氛中700℃高温退火可得到低阻P型GaN。 液相外延生长(LPE) 液相外延是从饱和溶液中在单晶衬底上生长外延层的方法 (Liquid phase epitaxy，LPE)。它是1963年由纳尔逊(H．Nelson)提出来的，与其他外延方法相比，它有如下的优点： ①生长设备比较简单； ②有较高的生长速率； ③掺杂剂选择范围广； ④晶体完整性好，外延层位错密度较衬底低； ⑤晶体纯度高，系统中没有剧毒和强腐性的原料及产物，操作安全、简便。 由于上述的优点，使它在光电、微波器件的研究和生产中得到广泛的应用。 LPE的缺点 1) 当外延层与衬底晶格常数差大于1％时，不能进行很好的生长。 2) 由于分凝系数的不同，除生长很薄外延层外，在生长方向上控制掺杂和多元化合物组分均匀性遇到困难。 3) LPE的外延层表面一般不如气相外延好。 近年来，由于MOVPE等外延技术的发展，LPE的应用受到了影响，特别是LPE很难重复生长超薄(厚度10nm)的外延层，使它在超晶格，量子阱等低维结构材料和器件制备方面遇到困难。 液相外延的相平衡原理 液相外延实质上是从金属溶液中生长一定组分晶体的结晶过程。它是在多相体系中进行的。 为了正确控制外延层的性质，确定合理的工艺参数，必须知道温度、压力和各相组分之间的定量关系，所以体系的相图是液相外延的物理化学基