GaN最新研究与应用.pptxVIP

GaN最新研究与应用 张翔宇 沈鑫磊 袁禹亮 田新斌 目录 1.简介GaN 禁带宽度大、热导率大、介电常数小、饱和电子漂移速度高、击穿电场强度高、高抗辐射能力等特点。 禁带宽度3.4eV，存在很强的原子键，是极稳定的化合物。 三种属于不同晶系的结构：六方纤锌矿结构、立方闪锌矿结构以及立方盐矿结构。 2.GaN HEMT 这种器件及其集成电路都能够工作于超高频（毫米波）、超高速领域，原因就在于它是利用具有很高迁移率的所谓二维电子气来工作的。 2.1简介HEMT HEMT，高电子迁移率晶体管是一种异质结场效应晶体管，又称为调制掺杂场效应晶体管（MODFET）、二维电子气场效应晶体管（2-DEGFET）、选择掺杂异质结晶体管 (SDHT)等。 2.2 GaN HEMT结构 高电子迁移率 大电流 适用于低压工作 可制作成纳米栅毫米波器件 优势： 2.3 耗尽型 HEMT 耗尽型HEMT 研究开展较早，早在1994 年，M.A.Khan 等人报道了栅长0. 25 um 的GaN HEMT，截止频率( fT) 和最大振荡频率( fmax)分别达到11 GHz 和35 GHz 。 PS：对于GaN体系的HEMT，通常在Vg =0 时就存在有2-DEG的器件为耗尽型器件，反之则为增强型器件。 Yuanzheng Yue等人利用金属有机物化学气相沉积的方法，成功制备出不含背势垒层，栅长为3