一种改进的超低压电压基准源设计 improved design of a super low voltage reference.pdfVIP

1种改进的超低压电压基准源设计 电子科技大学，电子薄膜与集成器件国家重点实验室 游剑 刘永根罗萍 张波李肇基 摘要：本文利用NMOS管与PMOS管栅源电压的温度特性及衬底偏置效应，设计了一种带曲率补偿输出电 压约为233mV的电压基准源。该电路结构简单，电源抑制特性较好，并与传统带隙基准电压的温度特性相 内，基准源的温度系数约为1lppm／℃；在100Hz和10MHz时电源抑制比分别为-58．6dB和-40dB。 关键词：电压基准衬底电压阈值电压曲率补偿 ofa Low Reference ImprovedDesignSuperVoltage You Jian，LiuYonggen，LuoPing，ZhangBo，LiZhaoji ElectronicThin and of Films (StateLaboratory IntegratedDevices， key ofElectronicScienceand of University technologyChina，Chengdu，610054) Abstract：ACMOS referencebasedondifferenced charactersofVGSandsubstratebiaseffects voltage temperature ofaNMOSandaPMOSisintroduced．Thiscircuitis with PSRR．The characteristhesame simplegood temperature astraditional reference．The coefficientis1 the band—gap temperature lppm／℃from一40℃一125℃andpowerrejec- tionratioat100Hzand10MHzare-58．6dBand一40dB inaO．5-CMOS bysimulating process． words：CMOS reference，buck Key voltage voltage，thresholdvoltage，curvaturecompensated． 1概述 案，可以利用阈值电压的不同温度特性产生电压基 准。利用有选择的沟道注入[2]，不同浓度的栅注入引 在便携式设备广泛使用的今天，低电源电压和 入功函数之差【3]。但以上均不适用于标准的CMOS 低功耗已经成为模拟电路设计的主要主题之一。其 工艺。文献[4]提出了一种新的设计思路，利用NMOS 中电压基准源是模拟电路设计中的关键模块，应用 管△V岱的负温度系数乘上权重与PMOS管的 广泛。它一般要求低电源电压敏感性，低温度漂移特 △V岱的负温度系数相减后得到与温度无关的基准 性。传统的基准源电路都是基于带隙基准，利用标准 电压，但MOS管阈值电压温度特|生具有较大非线性， 故该基准输出电压的温度系数一般大于30ppnd℃， CMOS工艺中的垂直PNP管【1]171，但输出电压一般为 1．2V左右。随着电路工作电压的继续下降，基准源 只属于一阶温度补偿技术。因此本文利用衬底电压 的输出电压也需要下降。作为可供选择的另一种方 偏置效应，来减小阈值电压的非线性