薄膜材料第三章薄膜沉积的物理方法.pptVIP

* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 三、放电过程与典型伏安特性曲线： 2、放电过程分析： 2）辉光放电区： ? GH段：异常辉光放电区，溅射工作段！ ■ 越过G点后，辉光区已布满两极间的整个空间； ■ 继续?电源功率 ? I 随V ?而单调?； ■ 实际上进入过饱和辉光放电阶段！ 注意：该阶段因下列理由而成为溅射镀膜的工作阶段： 1）I 随 V ?而?，可通过放电电压控制放电电流； 2）可提供分布区域大而均匀的等离子体； 3）利于实现大面积均匀可控的薄膜沉积。 3）弧光放电区：电弧放电阶段！ ? HI段：电弧击穿区，放电由辉光转为弧光放电！ ? IJ段：低温等离子电弧放电区 (非热平衡电弧放电区) ■ 等离子体分布区域急剧收缩，阴极表面出现很多孤立阴极斑点； ■ 斑点内载流子密度极高，电流密度 108A/cm2 ? 局部短路、高温，整体电阻?? ? I ?，V 反而?? ? JK段：高温热平衡电弧放电区：TP不断?而形成 ? V 不变而 I 不断? (载流子密度再次?，焊接、喷涂用) 3 薄膜沉积的物理方法 直流气体放电的伏安特性曲线及放电区域划分 3.2 溅射沉积技术 3.2.1 溅射的基本概念及原理 四、辉光放电区的分布： 1、总体特征： ?从阴极到阳极：辉光区与暗区交替出现！ 2、具体现象 (从阴极到阳极)： ? 阿斯顿暗区：第一个暗区！ ■ 该区内电子能量低，很难因碰撞而释放出光子。 ? 阴极辉光区：第一个辉光区！ ■ 通过阿斯顿暗区后，电子加速获得高动能，碰撞 电离气体，并不断与阳离子湮灭产生光子。 ? 阴极暗区：又称Crookes暗区！ ■ 电子/离子主要加速区，区内的电势差最大； ■ 该区电子碰撞后能量再次下降，不能电离气体。 ? 负辉光区：第二个辉光区，基片放置区域！ ■ 电子在阴极暗区加速，在此区碰撞释放动能； ■ 碰撞产生高浓度正离子，正离子浓度最高； ■ 电子湮灭几率? ? 产生大量光子 ? 辉光最强区； ■ 区内电势差?0，溅射镀膜过程中，基片通常 被置于此区域内，并与阳极一起接地。 ■ 只有少量电子能穿过该区继续飞向阳极。 3 薄膜沉积的物理方法 辉光放电区的空间分布特征及划分 3.2 溅射沉积技术 3.2.1 溅射的基本概念及原理 四、辉光放电区的分布： 2、具体现象 (从阴极到阳极)： ? 法拉第暗区：第三个暗区！ ■ n+、n- ??，且电子能量?，暗区再度形成。 ? 正辉光区：又称阳极光柱！ ? 阳极辉光区 ? 阳极暗区 ■ 由于溅射镀膜时，基片往往与阳极一起接地而处于零电位，且放置在负辉光区，后面四个区域基本不会出现，也不影响溅射镀膜过程！ 3、辉光放电等离子体的特点： ? 与电弧等离子体相比，荷电粒子浓度及能量都较低； ? 需要较高的放电电压，一般 1000 V； ? 等离子体中重粒子能量 电子能量； ? 电子温度很高，而其它粒子温度很低； 例如：辉光放电等离子体的当地温度一般 1000K，但其电子动能可达1-10 eV，根据 Te= Ek/k计算，其Te = (1-10) eV×1.602x10-19 J/eV/1.38x10-23 J/K≈104~105K！ 3 薄膜沉积的物理方法 辉光放电区的空间分布特征及划分 3.2 溅射沉积技术 3.2.1 溅射的基本概念及原理 一、溅射阈值 (Threshold Energy, 记为Et)： 1、概念：将靶材原子溅射出来，入射离子需要具备的最小能量水平。 2、规律： ? Et 与入射离子的质量无明显相关性；? Et 主要取决于靶材：靶材的原子序数越大，则其 Et 值越小；? 大多数金属的 Et ≈10~40 eV，约为其升华热的数倍。 二、溅射产额 (Sputtering Yield, 记为P)： 1、概念：平均每个正离子轰击靶材时，可从靶材中溅射出的原子个数。 2、规律：与入射离子的种类、能量及角度，以及靶材种类及温度有关。 ? 入射离子的影响： ■ 种类 (见右图1)：周期性升高！ 对应元素的原子序数? ? P ?、且同周期内惰性气体离子的 P 最高； ■ 能量 (见右图2)：E Et 后，升?饱和?降！ E 150 eV，P ? E2； E =150~104 eV，P?饱和； E 104 eV，P? ■ 入射角 (见右