制绒si片清洗工艺的研究 research on the texture and cleaning process of silicon wafer.pdfVIP

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2017-08-27 发布于上海
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制绒si片清洗工艺的研究 research on the texture and cleaning process of silicon wafer.pdf

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制绒si片清洗工艺的研究 research on the texture and cleaning process of silicon wafer

C栏olumn留jlI●-o 技1egt术molo专gy doi：10．3969／j．issn．1003—353x．2010．04．002 制绒Si片清洗工艺的研究王淑珍1a，一，乔琦1b一，陈肖静2，王永谦2，朱拓1a，一，张光春2，施正荣2，李果华1a (1．江南大学a．理学院；b．通信与控制工程学院，江苏无锡214122； 2．尚德电力控股有限公司薄膜研发部，江苏无锡214028；3．河海大学能源与电气学院，南京210098) 摘要：研究对比了不同清洗工艺对制绒Si片性能的影响，采用原子力显微镜和少子寿命测试仪测试经不同化学清洗工艺处理之后的Si片表面微粗糙度和少子寿命。研究发现，使用浓硫酸、双氧水混合液和稀释的氢氟酸溶液清洗Si片能够有效改善si片表面的质量，Si片表面的微粗糙度由原先的5．96 ttm降低到4．45Arm；采用等离子体增强化学气相沉积法在清洗之后的Si片上生长本征氢化非晶si层，对Si片进行表面钝化，钝化之后的Si片少子寿命可达107．88 pts。测试结果还表明，采用此种清洗方法处理的si片少子寿命稳定性有很大提高。关键词：晶体硅太阳电池；硅片清洗；表面微粗糙度；少子寿命中图分类号：0472；0473文献标识码：A ResearchontheTextureand ProcessofSiliconWafer Cleaning Qi¨”，Chen Tu018’3， WangShuzhenl8”，Qiao Xiaojin92，WangYongqian2，Zhu 8 Guohual Guangchun2，ShiZhengron92，Li Zhang d．hool 6．hoolCommunicationandControl (1 ofScience；1 Univers矗y， of Engineering，Jiangnan Wuxi Film Power 214122，China；2．ThinRD Co．，Ltd．，， Department，SuntechHoldings Wuxi214028，China；3．Schooland ofEnergyElectrical，HohaiUniversity，№彬ng210098，China) ofdifferent wafersare Abstract：neinfluences OHthe ofSi cleaningprocessesproperties studied．By atom