中红外激光功率密度探测单元的研制 design and implement of detecting module for mid-infrared laser power density measurement.pdfVIP

第20卷第8期 强 激 光 与 粒 子 束 V01．20，NO．8 LASERANDPARTICLEBEAMS 2008年8月 HIGHPOWER Aug．，2008 文章编号： 1001—4322(2008)08一1249·04 中红外激光功率密度探测单元的研制’ 杨鹏翎h2， 冯国斌2， 王群书2， 闰 燕2， 程建平1 (1．清华大学工程物理系．北京100084，2．西北核技术研究所。西安710024) 摘要：采用室温光导型HgCdTe探测器．研制了可用于中红外激光功率密度测量的探测单元，主要包 括衰减片、探测器、放大电路、数据采集和信号处理5个部分．分析了室温中红外HgCdTe光电探测器的温度 特性．并提出了探测器响应率温度自适应校正模型。该探测单元工作温度为一40～30℃。功率密度测量不确 定度小于20％． 关键词： HgCdTe探测器；中红外激光，温度； 自适应校正 中图分类号：TN216 文献标志码：A 近年来，中红外激光得到了广泛应用，但其功率密度定量测量仍是一个难题。采用漫反射屏和红外热像 仪，可以测量激光光斑分布，但测量误差较大，无法精确给出功率密度值，量热法可以绝对测量激光能量密 MIRACL激光斜程光斑[2]，但量热法时间分辨较差，存在一定局限。光电探测器响应速度较快，对于近红外波 段的激光功率密度测量，可以采用Si或InGaAs光电探测器来实现，美国林肯实验室利用1 测器单元组成的光电阵列。测量得到了ABL激光减功率发射的激光光斑，给出了Strehl比、环围能量和光束 化敏感，所以多用于激光功率密度相对测量[3刮。本文采用响应特性较稳定的室温光导型HgCdTe探测器，研 究其元阻抗和响应率的温度特性，研制了温度自适应校正激光功率探测单元，拓展了中红外光电探测器的应用 范围，并得到了成功应用。 1光电探测单元的设计 探测单元组件由光学衰减单元、光电探测器、前放电 路、数据采集单元、处理单元和供电单元组成，其结构如 图1所示。 探测单元采用中性密度衰减片对激光能量衰减，以 满足光电探测器的线型动态范围。由于测量信号为长脉 冲激光信号，且探测器为光导型无源器件，因此探测器输 Functionalblock of module 出信号不能采用传统的交流耦合电路【5]，而是采用直流Fig．1 diagramphotoelectricdetecting 图l光电探测单元结构示意图 惠氏桥电路放大，电路见图2。图中DET为光导型 用INAll8仪表放大器，为避免因滑动变阻器阻值随温度变化带来的不确定度，采用固定电阻R。。和R口串联调 整放大器增益，其值为 A=1+50 (1) 。 kQ／(R。l+R萨) 稳压块78L09提供探测器偏置电压，通过调整R，改变探测器偏置电流，电阻R．。和．R．：串联用于调整直流电 平，选取R．t和R．z使它们串联值等于探测器元阻抗，则无光照时探测器输出为零。文中所有电阻均采用低温度 系数的精密电阻，以降低电阻温度效应带来的测量不确定度。测量信号经数据采集系统，送人微处理器终端存 储和处理，得被测激光功率密度。为便于外场使用，系统全部采用电池供电。 探测器的选取对系统十分重要，为提高信噪比，探测器响应率应尽量高，但另一方面，室温下响应率高的探 ·较稿日期：2008—03—201修订日期：2008-07—08 薹金项目：国防科技摹础研究基金项目 万方数据 1250 强 激 光 与 粒 子 束 第20卷 测器，饱和阈值低，要求光学衰减片有较大