IGBT驱动保护电路设计及测试.doc

IGBT驱动保护电路设计及测试 1 引言 IGBT集功率MOSFET和双极型功率晶体管的优点于一体，具有电压控制、输入阻抗大、驱动功率小、控制电路简单、开关损耗小、通断速度快且通态压降低，易高压大电流等特点。 在IGBT的应用中，驱动和保护一直都是研究的关键技术，特别是过流保护方面。IGBT器件本身以及它 在电路中运行条件的特点，决定了其过流保护和其他开关器件相比有很大的差别。IGBT的过流保护电路直接关系到整个系统的工作性能和运行安全。 2 IGBT驱动电路 2.1 IGBT的开关特性 由图1所示IGBT的等效电路和器件的内部结构可知，IGBT的开关控制是通过和MOSFET类似的栅极结构来完成的，因此IGBT和MOSFET的开关过程大致相似。图2为IGBT硬开关时VGE、ICE和VCE的波型。开通时，当VGE达到开通门限后，到t2时间，ICE达到最大值，VCE下降过程中，由于和MOSFET一样的密勒电容CGC的作用，栅极电压基本恒定，延缓了IGBT的开通过程，当VCE下降结束，ICE达到稳态值，CGC作用消失，VGE以较快的上升率达到最大值。为了降低此效应，应该使栅极驱动源的内阻足够小，增加流经CGC的电流，加快开通速度。 关断时，同样由于密勒电容的效应，当VCE上升的过程中，VGE有一段近似恒定的时间，影响关断的过程。另外，由于IGBT是双极性器件，在关断过程中有一个少子复合过程，造成关断时的拖尾电流，这是IGBT和MOSFET开关最大的不同点，如图2所示，这也是影响IGBT工作频率的最主要原因。 2.2 IGBT驱动电路的要求 2.2.1 开通正栅压 IGBT静态特性曲线所示，IGBT正栅压VGE越大，导通电阻越低，损耗越小。但是，如果VGE过大，一但IGBT过流，会造成内部寄生晶闸管的静态擎柱效应，造成IGBT失效。相反如果VGE过小，可能会使IGBT的工作点落入线性放大区，最终导致器件的过热损坏，比较理想的IGBT驱动电压范围是12V。 2.2.2 关断栅压选择 IGBT的关断过程可能会承受很大的dv/dt，伴随关断浪涌电流，干扰栅极的关断电压，可能造成器件的误开通。为提高驱动电路的抗干扰能力，在关断时栅极加适当的负偏压，一般取为-10V。 2.2.3 栅极串联电阻Rg的选择 从IGBT的开关特性的分析可以看出，Rg直接影响IGBT的工作情况。为提高开关频率，Rg取值应该尽量小。但如果Rg取值过小，会导致栅射极之间的充放电时间常数小，开通瞬间电流较大，从而损坏IGBT；而若Rg取值过大，虽然在抑制dv/dt方面很有效果，但增加了IGBT的开关时间和开关损耗，严重影响IGBT的性能和工作状态。Rg的取值大概是十几欧到几百欧之间，具体的值应该根据应用的实际情况选取最佳值。 3 驱动电路的保护 3.1 过流保护 3.1.1 过电流损坏原因 IGBT内部有寄生晶闸管，在规定漏极电流范围内，其产生的正偏压不足以使晶体管导通，当漏极电流大到一定程度，正偏压足以使晶体管导通，近而使寄生晶闸管开通，栅极失去控制，发生擎柱效应。此时关断无效，集电极电流很大致使IGBT损坏。当电流还未达到擎柱效应所需电流大小时，如果IGBT运行指标超过SOA所限定的电流安全边界，也就工作在了过流状态下，长时间过流运行造成很高的功耗，损坏器件。当最严重的过流情况，短路发生时，电流很快达到额定电流的4-5倍，此时必须尽快关断器件，否则器件将很快损坏。 3.1.3 过电流的处理 根据IGBT的静态特性，当发生过流时，VCE会随电流急剧变大，可以通过检测VCE的大小来判断是否过流。当检测到过流发生时，首先采取降栅压措施，从图3的静态特性曲线可知，栅压降低以后，电流显著减小。这样一方面可以保护器件，另一方面如果确定是短路需要关闭器件时，不用在相当大电流的基础上执行关断，反而引入di/dt的问题。当降栅压运行一段时间后（一般是10 ），如果电流恢复正常，可以再加上正常的栅压。这样可以有效避免假过流造成的误保护。但如果电流仍然处于过流的状态，可以判断是短路故障，应该马上对IGBT进行关断。此时绝对不能快速关断，因为短路时电流非常大，直接关断会在线路寄生电感上产生很大的电压，进而损坏器件。此时应该保证电流变化率不会过大，让栅极电压缓慢降低关断器件。 3.2 栅极过压的保护 3.2.1 栅极过压原因 IGBT大多是工作于感性负载状态，当其处于关断状态，而反并二极管正在反向恢复过程时，就会有很大的dv/dt加于CE两端。由于密勒电容的存在，该dv/dt将在电容上产生瞬间电流，流向栅极驱动电路。该电流和Rg作用，如果Rg